| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-11页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第11-28页 |
| ·晶格库仑能 | 第11-12页 |
| ·短程相互作用能 | 第12-13页 |
| ·缺陷电子的能量 | 第13-25页 |
| ·离子尺寸项 | 第16-18页 |
| ·内插公式 | 第18-21页 |
| ·NH_4的处理 | 第21-22页 |
| ·V_k心的处理 | 第22-25页 |
| ·极化能 | 第25-26页 |
| ·分子离子间的相互作用能 | 第26-27页 |
| ·系统总能量的自洽迭代求极值方法 | 第27-28页 |
| 第三章 计算结果和分析 | 第28-35页 |
| ·STE基态的确定 | 第28-33页 |
| ·STE的辐射光谱 | 第33页 |
| ·V_k心的吸收光谱 | 第33-35页 |
| 第四章 总结与展望 | 第35-36页 |
| 附录A 高斯函数的性质 | 第36-37页 |
| 附录B 哈密顿量的计算 | 第37-40页 |
| 附录C 双电子积分 | 第40-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 致谢 | 第48页 |