首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--半导体集成电路(固体电路)论文

MOS器件模型参数提取

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目 录第6-7页
第一章 引言第7-10页
   ·功率电子学(POWER ELECTRONICS)的发展第7页
   ·功率集成电路(POWER IC、PIC)第7-8页
   ·本课题的主要研究工作第8-10页
第二章 低压MOS模型参数提取第10-35页
   ·低压MOS模型介绍第10-22页
     ·电路模拟器与模型简介第10-15页
     ·SPICE MOS 1 、2、3、4级模型第15-22页
   ·提取低压MOS模型参数第22-30页
     ·AURORA软件简介第22-23页
     ·提取模型参数的步骤第23-25页
     ·提取过程及分析第25-30页
   ·MOS电容的提取第30-33页
   ·根据工艺测试提取MOS参数的方法第33-35页
第三章 功率MOS模型参数提取第35-46页
   ·具有新型耐压层结构的功率MOS模型简介第35-38页
   ·MEDICI程序模拟提取模型参数第38-39页
   ·势垒电容与压变电阻在电路仿真时的模型应用第39-46页
结 束 语第46-48页
参考文献第48-50页
致    谢第50-51页
附录1 由瞬态运算提取功率MOS压变电阻和势垒电容的程序第51-54页
附录2 利用shell程序产生三角形网格的一种方法第54-61页
附录3 SPICE MOS LEVEL=3模型参数第61-62页
个 人 简 历第62页

论文共62页,点击 下载论文
上一篇:熊胆丸的质量控制及指纹图谱研究
下一篇:数字证据的法律地位及其应有用规则研究