| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| 1-1 太阳能电池及其产业发展概述 | 第9-17页 |
| 1-1-1 太阳能电池工作原理简介 | 第9页 |
| 1-1-2 太阳能电池的分类及发展概况 | 第9-14页 |
| 1-1-3 国际太阳能电池产业发展趋势 | 第14-16页 |
| 1-1-4 国内太阳能电池产业发展趋势 | 第16-17页 |
| 1-2 太阳能电池窗口材料研究发展概述 | 第17-19页 |
| 1-2-1 窗口材料及其研究意义 | 第17-18页 |
| 1-2-2 窗口材料的研究发展概述 | 第18-19页 |
| 1-3 本学位论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验原材料、设备及方法 | 第20-25页 |
| 2-1 实验材料 | 第20页 |
| 2-1-1 原料气体 | 第20页 |
| 2-1-2 衬底材料 | 第20页 |
| 2-2 薄膜沉积设备及沉积工艺 | 第20-22页 |
| 2-2-1 PECVD薄膜沉积设备简介 | 第20-21页 |
| 2-2-2 窗口材料制备过程 | 第21-22页 |
| 2-2-3 太阳能电池制备工艺 | 第22页 |
| 2-3 测试仪器和计算方法 | 第22-25页 |
| 2-3-1 薄膜厚度及晶化率的测量 | 第22-23页 |
| 2-3-2 性能测量 | 第23页 |
| 2-3-3 等离子体光谱的测量 | 第23-25页 |
| 第三章 P型非晶硅窗口材料的研究 | 第25-30页 |
| 3-1 工艺参数对非晶硅薄膜生长速率和性能的影响 | 第25-27页 |
| 3-1-1 衬底温度对材料生长速率和暗电导的影响 | 第25页 |
| 3-1-2 辉光功率对材料生长速率和暗电导的影响 | 第25-26页 |
| 3-1-3 掺B和掺C对材料生长和电导率的影响 | 第26页 |
| 3-1-4 薄膜生长速率随沉积时间的变化关系 | 第26-27页 |
| 3-2 非晶硅窗口材料在电池上的应用 | 第27-28页 |
| 3-3 与p层相关的影响电池效率的其它因素 | 第28-29页 |
| 3-3-1 P和TCO界面对电池效率的影响 | 第28页 |
| 3-3-2 P-I界面对电池效率的影响 | 第28-29页 |
| 3-4 小结 | 第29-30页 |
| 第四章 微晶硅窗口材料的研究 | 第30-48页 |
| 4-1 本征微晶硅材料的制备 | 第30-32页 |
| 4-2 P型微晶硅材料的制备 | 第32-37页 |
| 4-2-1 P型微晶硅窗口材料的制备 | 第32-35页 |
| 4-2-2 P型μc-SiC:H窗口材料的制备 | 第35-37页 |
| 4-3 影响P型微晶硅材料性能的因素 | 第37-46页 |
| 4-3-1 掺硼对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响 | 第37-40页 |
| 4-3-2 甲烷掺杂对μc-Si C:H窗口材料生长和暗电导的影响 | 第40-41页 |
| 4-3-3 衬底温度对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响 | 第41-42页 |
| 4-3-4 压力对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响 | 第42-43页 |
| 4-3-5 辉光功率对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响 | 第43-44页 |
| 4-3-6 P型微晶硅材料的光学透过率 | 第44-46页 |
| 4-4 微晶硅窗口材料在微晶硅电池上的应用 | 第46-47页 |
| 4-4-1 μc-SiC:H窗口材料在单节μc-Si:H电池上的应用 | 第46页 |
| 4-4-2 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的量子效率 | 第46-47页 |
| 4-4-3 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的稳定性 | 第47页 |
| 4-5 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 B(CH_3)_3为掺杂剂的宽带隙高电导窗口材料的研究 | 第48-57页 |
| 5-1 三甲基硼掺杂剂及其辉光光谱特征 | 第48-50页 |
| 5-1-1 三甲基硼与乙硼烷的区别 | 第48页 |
| 5-1-2 三甲基硼与乙硼烷掺杂时的辉光光谱特征 | 第48-50页 |
| 5-2 三甲基硼为掺杂剂制备P型非晶硅窗口材料 | 第50-53页 |
| 5-2-1 掺三甲基硼对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响 | 第50-51页 |
| 5-2-2 掺碳对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响 | 第51页 |
| 5-2-3 衬底温度对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响 | 第51-53页 |
| 5-3 三甲基硼掺杂窗口材料在非晶硅太阳电池上的应用 | 第53-56页 |
| 5-3-1 三甲基硼掺杂窗口材料的非晶硅电池的制备与性能 | 第53-54页 |
| 5-3-2 B(CH_3)_3掺杂a-SiC:H窗口材料制各的非晶硅电池工艺优化 | 第54-56页 |
| 5-3-3 三甲基硼为掺杂剂制备的非晶硅电池的量子效率 | 第56页 |
| 5-4 小结 | 第56-57页 |
| 第六章 窗口材料沉积过程中的OES谱研究 | 第57-67页 |
| 6-1 非晶硅窗口材料沉积时的OES谱 | 第57-61页 |
| 6-1-1 本征a-Si:H材料制备时的OES谱 | 第57-58页 |
| 6-1-2 P型a-SiC:H窗口材料制备时的OES谱 | 第58-59页 |
| 6-1-3 本征和P型两种非晶硅材料制备中的OES谱的比较 | 第59-61页 |
| 6-2 微晶硅窗口材料沉积时的OES谱 | 第61-65页 |
| 6-2-1 本征μc-Si:H材料制备时的OES | 第61-62页 |
| 6-2-2 P型μc-Si:H窗口材料制备时的OES | 第62-63页 |
| 6-2-3 P型μc-SiC:H窗口材料沉积时的OES | 第63-64页 |
| 6-2-4 三种微晶硅窗口材料沉积时的OES比较 | 第64-65页 |
| 6-3 B_2H_6对生长速率和晶化率的影响分析 | 第65-66页 |
| 6-4 小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录A 晶化率的计算过程 | 第71-72页 |
| 附录B 量子效率的计算 | 第72-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间所取发表论文 | 第76页 |
