| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-39页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·硅纳米晶体的制备及表面改性工作 | 第13-18页 |
| ·常见涉及卤素杂质的硅纳米晶体合成方法 | 第13-16页 |
| ·涉及卤素杂质的硅纳米晶体表面改性工作 | 第16-18页 |
| ·量子限域效应在硅纳米晶体中的作用 | 第18-22页 |
| ·表面化学在硅纳米晶体中的作用 | 第22-37页 |
| ·典型的硅纳米晶体密度泛函研究 | 第22-30页 |
| ·常见涉及卤素杂质的硅纳米晶体密度泛函研究 | 第30-37页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第37-39页 |
| 第三章 密度泛函理论简介 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·密度泛函理论(DFT)的方法 | 第39-45页 |
| ·从头计算(ab initial) | 第39-40页 |
| ·密度泛函理论 | 第40-45页 |
| 第四章 含有氯杂质的硅纳米晶体的电子光学性质研究 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·模型和计算方法 | 第46-50页 |
| ·氢(H)饱和的硅纳米晶体模型的确定 | 第46-47页 |
| ·硅纳米晶体中氯(Cl)杂质位置和钝化量的确定 | 第47-48页 |
| ·计算方法简介 | 第48-50页 |
| ·结果和讨论 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 氟钝化的硅纳米晶体:表面化学和量子限域效应 | 第55-67页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·模型和计算方法 | 第56-57页 |
| ·理论模型的建立 | 第56页 |
| ·计算方法简介 | 第56-57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-65页 |
| ·单一尺寸不同F钝化量的硅纳米晶体(表面化学的作用) | 第57-62页 |
| ·硅纳米晶体中量子限域效应和表面化学的比较 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 不同卤素杂质对硅纳米晶体电子光学性质的影响 | 第67-77页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·模型和计算方法 | 第68-69页 |
| ·结果和讨论 | 第69-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第七章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 个人简历 | 第87-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及专利 | 第89页 |
