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双掺杂CMR薄膜的结构和光电特性研究

摘要(中、英文)第1-8页
第一章 引言第8-10页
第二章 钙钛矿锰氧化物CMR材料的性质及机理第10-34页
   ·磁电阻效应第10-13页
     ·正常磁电阻效应(OMR)第10页
     ·多层膜和颗粒膜中的巨磁电阻效应(GMR)第10-11页
     ·钙钛矿锰氧化物中的特大磁电阻效应(CMR)第11-13页
   ·钙钛矿锰氧化合物的结构第13-20页
     ·杨-特勒效应/相变(Jahn-Teller effect/transition)第13-15页
     ·晶体结构第15-16页
     ·磁结构第16-18页
     ·电子结构第18-20页
     ·导电性能第20页
   ·钙钛矿锰氧化物特大磁电阻效应的物理机制第20-24页
     ·双交换作用机制第21-22页
     ·极化子理论第22-23页
     ·Jahn-Teller畸变第23-24页
   ·影响CMR效应的几个因素第24-26页
     ·工艺制备对薄膜材料的CMR的影响第24-25页
     ·稀土和碱土离子半径对CMR的影响第25-26页
     ·外加等静压对CMR特性的影响第26页
   ·CMR材料最新研究方向---光学和光电性能研究第26-32页
     ·钙钛矿结构CMR材料的光致相变第27页
     ·CMR材料的光致相变阈值行为第27-28页
     ·CMR材料的光致相变的局域化特性第28-29页
     ·CMR材料的光致相变稳定性第29-30页
     ·CMR材料中的光致瞬态效应第30-32页
 本章小结及论文工作要点第32-34页
第三章 CMR块体和薄膜材料的制备和结构分析第34-54页
   ·钙钛矿CMR块体的制备方法第34-36页
     ·固相反应法第34-35页
     ·悬浮区熔法(float-zone method)第35页
     ·溶胶-凝胶法第35-36页
   ·钙钛矿CMR薄膜材料的制备第36-40页
     ·脉冲激光沉积法(PLD)第36-38页
     ·磁控溅射法第38-39页
     ·溶胶-凝胶薄膜制备法第39-40页
   ·钙钛矿锰氧化物材料的选择与制备第40-43页
     ·块体靶的制备第40-41页
     ·薄膜的制备第41-43页
   ·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列块状晶体和薄膜的结构分析第43-53页
     ·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列晶体粉末X射线分析第43-48页
       ·物相分析第44-47页
       ·晶格常数的计算第47-48页
     ·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列薄膜特性参数第48-53页
       ·薄膜的X射线衍射分析第48-49页
       ·薄膜的成份和组分分析第49-52页
       ·薄膜厚度的精确测量第52页
       ·玻璃衬底上的非晶或颗粒膜第52-53页
 本章小结第53-54页
第四章 La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列薄膜光电特性第54-72页
   ·薄膜电极和引线设计第54页
   ·低温控温系统第54-55页
   ·薄膜的电阻率-温度特性测试第55-58页
     ·A位离子半径对材料电输运特性的影响第55-56页
     ·低温下薄膜的金属态导电特性第56-57页
     ·高温范围(T>Tp)薄膜导电性同掺杂量的关系第57-58页
   ·钙钛矿锰氧化物薄膜的负阻效应第58-59页
   ·La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜磁电阻效应研究第59-61页
   ·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3薄膜光电性能研究第61-70页
     ·光电导测试实验装置、特征参数和光路电路图第61-62页
     ·连续激光作用时电阻率变化特性第62-67页
       ·组分对光致电阻率变化的影响第63-65页
       ·电阻率温度变化率、负阻效应、磁电阻效应和光致电阻率变化特性的共同本质第65-67页
     ·调制的激光脉冲作用时薄膜电阻率变化特性第67-70页
       ·光响应时间特性第67-68页
       ·脉冲光致电阻率变化特性及最佳光响应条件第68-70页
 本章小结第70-72页
第五章 结论与展望第72-74页
参考文献第74-77页
论文期间发表的文章第77-78页
致谢第78-79页

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