摘要(中、英文) | 第1-8页 |
第一章 引言 | 第8-10页 |
第二章 钙钛矿锰氧化物CMR材料的性质及机理 | 第10-34页 |
·磁电阻效应 | 第10-13页 |
·正常磁电阻效应(OMR) | 第10页 |
·多层膜和颗粒膜中的巨磁电阻效应(GMR) | 第10-11页 |
·钙钛矿锰氧化物中的特大磁电阻效应(CMR) | 第11-13页 |
·钙钛矿锰氧化合物的结构 | 第13-20页 |
·杨-特勒效应/相变(Jahn-Teller effect/transition) | 第13-15页 |
·晶体结构 | 第15-16页 |
·磁结构 | 第16-18页 |
·电子结构 | 第18-20页 |
·导电性能 | 第20页 |
·钙钛矿锰氧化物特大磁电阻效应的物理机制 | 第20-24页 |
·双交换作用机制 | 第21-22页 |
·极化子理论 | 第22-23页 |
·Jahn-Teller畸变 | 第23-24页 |
·影响CMR效应的几个因素 | 第24-26页 |
·工艺制备对薄膜材料的CMR的影响 | 第24-25页 |
·稀土和碱土离子半径对CMR的影响 | 第25-26页 |
·外加等静压对CMR特性的影响 | 第26页 |
·CMR材料最新研究方向---光学和光电性能研究 | 第26-32页 |
·钙钛矿结构CMR材料的光致相变 | 第27页 |
·CMR材料的光致相变阈值行为 | 第27-28页 |
·CMR材料的光致相变的局域化特性 | 第28-29页 |
·CMR材料的光致相变稳定性 | 第29-30页 |
·CMR材料中的光致瞬态效应 | 第30-32页 |
本章小结及论文工作要点 | 第32-34页 |
第三章 CMR块体和薄膜材料的制备和结构分析 | 第34-54页 |
·钙钛矿CMR块体的制备方法 | 第34-36页 |
·固相反应法 | 第34-35页 |
·悬浮区熔法(float-zone method) | 第35页 |
·溶胶-凝胶法 | 第35-36页 |
·钙钛矿CMR薄膜材料的制备 | 第36-40页 |
·脉冲激光沉积法(PLD) | 第36-38页 |
·磁控溅射法 | 第38-39页 |
·溶胶-凝胶薄膜制备法 | 第39-40页 |
·钙钛矿锰氧化物材料的选择与制备 | 第40-43页 |
·块体靶的制备 | 第40-41页 |
·薄膜的制备 | 第41-43页 |
·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列块状晶体和薄膜的结构分析 | 第43-53页 |
·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列晶体粉末X射线分析 | 第43-48页 |
·物相分析 | 第44-47页 |
·晶格常数的计算 | 第47-48页 |
·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列薄膜特性参数 | 第48-53页 |
·薄膜的X射线衍射分析 | 第48-49页 |
·薄膜的成份和组分分析 | 第49-52页 |
·薄膜厚度的精确测量 | 第52页 |
·玻璃衬底上的非晶或颗粒膜 | 第52-53页 |
本章小结 | 第53-54页 |
第四章 La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3系列薄膜光电特性 | 第54-72页 |
·薄膜电极和引线设计 | 第54页 |
·低温控温系统 | 第54-55页 |
·薄膜的电阻率-温度特性测试 | 第55-58页 |
·A位离子半径对材料电输运特性的影响 | 第55-56页 |
·低温下薄膜的金属态导电特性 | 第56-57页 |
·高温范围(T>Tp)薄膜导电性同掺杂量的关系 | 第57-58页 |
·钙钛矿锰氧化物薄膜的负阻效应 | 第58-59页 |
·La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜磁电阻效应研究 | 第59-61页 |
·La_(2/3)(Ca_(1-x)Sr_x)_(1/3)MnO_3薄膜光电性能研究 | 第61-70页 |
·光电导测试实验装置、特征参数和光路电路图 | 第61-62页 |
·连续激光作用时电阻率变化特性 | 第62-67页 |
·组分对光致电阻率变化的影响 | 第63-65页 |
·电阻率温度变化率、负阻效应、磁电阻效应和光致电阻率变化特性的共同本质 | 第65-67页 |
·调制的激光脉冲作用时薄膜电阻率变化特性 | 第67-70页 |
·光响应时间特性 | 第67-68页 |
·脉冲光致电阻率变化特性及最佳光响应条件 | 第68-70页 |
本章小结 | 第70-72页 |
第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
论文期间发表的文章 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-79页 |