| 第一章 引言 | 第1-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-29页 |
| 2．1 低辐射镀膜玻璃的发展 | 第9-10页 |
| 2．2 低辐射镀膜玻璃的节能原理 | 第10-12页 |
| 2．3 低辐射镀膜玻璃的节能性能表征 | 第12-13页 |
| 2．4 低辐射镀膜玻璃的分类 | 第13-18页 |
| 2．4．1 电介质/金属/电介质多层复合低辐射玻璃 | 第13-16页 |
| 2．4．2 半导体单层膜低辐射玻璃 | 第16-18页 |
| 2．5 低辐射镀膜玻璃制备技术 | 第18-25页 |
| 2．5．1 真空蒸镀法 | 第18-19页 |
| 2．5．2 溅射镀膜法 | 第19-20页 |
| 2．5．3 电浮法镀膜 | 第20页 |
| 2．5．4 热喷涂镀膜法 | 第20-21页 |
| 2．5．5 溶胶—凝胶（Sol-Gel）法镀膜 | 第21-22页 |
| 2．5．6 化学气相沉积镀膜法（CVD） | 第22-24页 |
| 2．5．7 浮法玻璃在线镀膜技术 | 第24-25页 |
| 2．6 产业关联度分析和市场前景 | 第25-27页 |
| 2．7 选题角度的确定 | 第27-29页 |
| 第三章 常压热分解CVD法F掺杂SnO_2透明导电薄膜制备 | 第29-37页 |
| 3．1 原料体系的确定 | 第29-30页 |
| 3．2 实验装置 | 第30-31页 |
| 3．3 试样制备过程 | 第31-32页 |
| 3．4 测试方法 | 第32-37页 |
| 3．4．1 薄膜成分的测定 | 第32-34页 |
| 3．4．2 薄膜结构的测定 | 第34-35页 |
| 3．4．3 薄膜厚度的测定 | 第35页 |
| 3．4．4 薄膜表面形貌的测定 | 第35-36页 |
| 3．4．5 薄膜电阻率的测定 | 第36页 |
| 3．4．6 薄膜中远红外反射率的测定 | 第36-37页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第37-61页 |
| 4．1 F掺杂SnO_2薄膜的结构与组成 | 第37-38页 |
| 4．2 制备工艺对薄膜结构性能的影响 | 第38-42页 |
| 4．2．1 基板温度对薄膜结构性能的影响 | 第38-40页 |
| 4．2．2 F掺杂量对薄膜结构性能的影响 | 第40-41页 |
| 4．2．3 催化剂（H_2O）用量对薄膜电性能的影响 | 第41-42页 |
| 4．3 薄膜光学性能 | 第42页 |
| 4．4 退火处理对薄膜电性能的影响 | 第42-44页 |
| 4．5 讨论 | 第44-45页 |
| 4．6 小结 | 第45-61页 |
| 第五章 SnO_2低辐射镀膜玻璃的产业化研究 | 第61-72页 |
| 5．1 引言 | 第61页 |
| 5．2 在线镀膜工艺半工业化试验 | 第61-64页 |
| 5．3 产品结构性能 | 第64-67页 |
| 5．4 结论 | 第67-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
