| 1 绪论 | 第1-15页 |
| 1．1 研究背景 | 第6-11页 |
| 1．1．1 真空微电子学的起源和发展 | 第6-7页 |
| 1．1．2 真空微电子器件的应用 | 第7-9页 |
| 1．1．3 真空微电子学的国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1．1．4 存在的主要问题 | 第10-11页 |
| 1．2 本论文的主要工作和研究意义 | 第11-15页 |
| 2 场致电子发射理论基础 | 第15-21页 |
| 2．1 场致电子发射基本概念 | 第15-17页 |
| 2．2 场致发射方程：福勒—诺德海姆公式 | 第17-20页 |
| 2．3 场致电子发射的实现方法 | 第20-21页 |
| 3 真空微电子三极管的理论模型 | 第21-39页 |
| 3．1 真空微电子三极管的理论模型 | 第21-22页 |
| 3．2 真空微电子的物理计算模型 | 第22-29页 |
| 3．2．1 计算程序的总体设计 | 第22-29页 |
| 3．3 真空微电子三极管内电场的有限元分析 | 第29-39页 |
| 3．3．1 场域剖分 | 第29-31页 |
| 3．3．2 有限元基本原理 | 第31-39页 |
| 4 真空微电子三极管的静态特性分析 | 第39-69页 |
| 4．1 真空微电子三极管内的电场分布 | 第39页 |
| 4．2 真空微电子三极管内的电子轨迹 | 第39-69页 |
| 4．2．1 真空微电子三极管内的电场分布 | 第39-41页 |
| 4．2．2 真空微电子三极管内的电子轨迹 | 第41页 |
| 4．2．3 真空微电子三极管结构参数对其发射性能的影响 | 第41-69页 |
| 5 样品的优化设计与制备 | 第69-74页 |
| 5．1 器件的优化设计 | 第69-70页 |
| 5．2 圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管样品的制备 | 第70-74页 |
| 6 ZVD-1型真空微电子器件特性测试仪的研制 | 第74-91页 |
| 6．1 本课题的设计任务 | 第74页 |
| 6．2 直流稳压电源的设计 | 第74-75页 |
| 6．2．1 直流稳压电源设计指标要求 | 第74页 |
| 6．2．2 选择电路方案 | 第74-75页 |
| 6．2．3 直流稳压电源的参数选择 | 第75页 |
| 6．3 运算放大器的供电电源和基准电源的设计 | 第75-80页 |
| 6．3．1 三端固定式集成稳压器简介 | 第75-76页 |
| 6．3．2 输出电压固定为30V的直流稳压电源电路 | 第76-80页 |
| 6．4 稳压电源的核心—稳压部分的设计 | 第80-87页 |
| 6．4．1 稳压电路中各参数的计算和选定 | 第81-86页 |
| 6．4．2 稳压电源的主要指标的估算 | 第86-87页 |
| 6．5 阳极电流测量电路的设计 | 第87-91页 |
| 6．5．1 测量电路的确定 | 第87-91页 |
| 7 样品电学参数的测试、计算与分析 | 第91-104页 |
| 7．1 样品电学特性测试 | 第91-104页 |
| 8 结束语 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 本人硕士器件发表的论文 | 第110页 |
