| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| ·前言 | 第8-9页 |
| ·文献 | 第9-22页 |
| ·压电效应及其产生机理 | 第9-11页 |
| ·压电陶瓷参数 | 第11-15页 |
| ·高介电高压电系数陶瓷 | 第15-17页 |
| ·三元系压电陶瓷 | 第17-18页 |
| ·掺杂 | 第18-21页 |
| ·压电陶瓷的稳定性 | 第21-22页 |
| ·课题提出的意义及研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 实验过程及测试 | 第25-30页 |
| ·原料及设备 | 第25-26页 |
| ·工艺选取 | 第26-27页 |
| ·性能测试及仪器装置 | 第27-30页 |
| ·相对介电常数ε_(33)~T ε_0 及介电损耗tanδ | 第27页 |
| ·压电应变常数d_(33) | 第27页 |
| ·耦合系数K_p 和机械品质因素Q_m | 第27-28页 |
| ·居里温度Tc | 第28-29页 |
| ·温度稳定性 | 第29页 |
| ·显微结构及相组成 | 第29-30页 |
| 第三章 0.3PZN-0.7PZT 压电陶瓷配方的确定 | 第30-39页 |
| ·准同型相界位置的确定 | 第30-32页 |
| ·微观形貌 | 第32-34页 |
| ·介电和压电性能 | 第34-36页 |
| ·温度稳定性 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性研究 | 第39-49页 |
| ·Ta_2O_5 掺杂的研究 | 第39-44页 |
| ·显微结构 | 第39-40页 |
| ·机电性能 | 第40-42页 |
| ·温度 | 第42-44页 |
| ·Sb_2O_5 掺杂的研究 | 第44-48页 |
| ·显微结构 | 第44页 |
| ·机电性能 | 第44-47页 |
| ·居里温度随掺杂量的变化 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 Sb 掺杂对 Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.3) (Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.7)O_3陶瓷微观结构及电学性能的影响 | 第49-66页 |
| ·Sb_2O_3 掺杂方式对Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.3) (Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.7)O_3压电陶瓷微观结构及电学性能的影响 | 第49-55页 |
| ·晶相结构 | 第50-51页 |
| ·微观结构 | 第51-52页 |
| ·介电和压电性能 | 第52-53页 |
| ·介电稳定性 | 第53-54页 |
| ·温度稳定性 | 第54-55页 |
| ·Sb离子价态对Pb_(0.95)Ba_(0.05)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.3) (Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.7)O_3压电陶瓷微观结构及电学性能的影响 | 第55-59页 |
| ·物相分析 | 第55-56页 |
| ·介电和压电性能 | 第56-57页 |
| ·频率常数及温度稳定性 | 第57-58页 |
| ·机电耦合系数随温度的变化 | 第58-59页 |
| ·烧结工艺对陶瓷机电性能及稳定性的影响 | 第59-64页 |
| ·低温热处理对机电性能的影响 | 第59-61页 |
| ·烧结制度对机电性能的影响 | 第61-62页 |
| ·烧结气氛的影响 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
