| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-28页 |
| ·PTC热敏电阻的主要性能 | 第8-11页 |
| ·电阻-温度特性 | 第8-9页 |
| ·电压-电流特性 | 第9-10页 |
| ·电流-时间特性 | 第10页 |
| ·耐压特性 | 第10-11页 |
| ·PTC材料的分类 | 第11-13页 |
| ·BaTiO_3 系 | 第11页 |
| ·V_2O_3 系 | 第11-12页 |
| ·高分子类PTC材料 | 第12页 |
| ·陶瓷PTC材料与高分子类PTC材料的性能比较 | 第12-13页 |
| ·BaTiO_3 基PTC陶瓷 | 第13-19页 |
| ·BaTiO_3 晶体结构 | 第13-14页 |
| ·BaTiO_3 基半导体陶瓷PTC效应的机理 | 第14-17页 |
| ·晶界与PTC效应 | 第17-19页 |
| ·BaTiO_3 基PTC陶瓷的掺杂 | 第19-20页 |
| ·半导化掺杂 | 第19-20页 |
| ·玻璃相 | 第20页 |
| ·PTC材料的应用 | 第20-21页 |
| ·阻温特性的利用 | 第20页 |
| ·伏安特性的利用 | 第20-21页 |
| ·时间—电流特性的应用 | 第21页 |
| ·BaTiO_3 基PTC材料的发展现状与存在的问题 | 第21-26页 |
| ·居里温度的控制 | 第22页 |
| ·高居里温度PTC陶瓷的发展 | 第22页 |
| ·高居里温度PTC陶瓷无铅化的发展 | 第22-23页 |
| ·降低室温电阻率 | 第23-25页 |
| ·提高PTC效应 | 第25-26页 |
| ·制备工艺对材料性能的影响 | 第26页 |
| ·烧结温度 | 第26页 |
| ·升温速率 | 第26页 |
| ·降温速率 | 第26页 |
| ·课题的提出 | 第26-28页 |
| 第二章 实验过程及研究方法 | 第28-33页 |
| ·实验原料及设备 | 第28-29页 |
| ·实验原料 | 第28页 |
| ·实验设备 | 第28-29页 |
| ·实验工艺流程 | 第29-30页 |
| ·PTC试样的电性能测试及数据处理 | 第30-33页 |
| ·室温电阻率 | 第30页 |
| ·阻温曲线的测定 | 第30-33页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第33-54页 |
| ·BaTiO_3 基础试样的性能 | 第33-35页 |
| ·基础试样的配方 | 第33页 |
| ·BaTiO_3 主晶相的合成 | 第33-34页 |
| ·基础配方试样的性能 | 第34-35页 |
| ·CuO 的加入次序对于PTC陶瓷半导化的影响及原因分析 | 第35-36页 |
| ·一次加入CuO对PTC陶瓷的性能的影响 | 第36-46页 |
| ·一次加入CuO的机理 | 第36-37页 |
| ·一次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷居里温度的影响 | 第37-39页 |
| ·一次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷室温电阻率的影响 | 第39-40页 |
| ·一次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷PTC性能的影响 | 第40-41页 |
| ·一次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷介电性能的影响 | 第41-43页 |
| ·调整Sb_2O_3 的含量对一次加入CuO试样室温电阻率的影响 | 第43-45页 |
| ·调整Sb_2O_3 的含量对一次加入CuO试样PTC性能的影响 | 第45-46页 |
| ·二次加入CuO对PTC陶瓷的性能的影响 | 第46-54页 |
| ·二次加入CuO的机理 | 第46-47页 |
| ·二次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷居里温度的影响 | 第47-48页 |
| ·二次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷室温电阻率的影响 | 第48-49页 |
| ·二次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷PTC性能的影响 | 第49-50页 |
| ·二次加入CuO对BaTiO_3 基PTC陶瓷介电性能的影响 | 第50-51页 |
| ·调整Sb_2O_3 的含量对二次加入CuO试样室温电阻率的影响 | 第51-52页 |
| ·调整Sb_2O_3 的含量对二次加入CuO试样PTC性能的影响 | 第52-54页 |
| 第四章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
