SBT基MFIS结构的制备和保持性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-24页 |
| ·铁电体及铁电薄膜 | 第8-13页 |
| ·铁电体及其分类 | 第8-10页 |
| ·铁电薄膜特性及应用 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·铁电薄膜的性能表征 | 第12-13页 |
| ·铁电存储器 | 第13-20页 |
| ·铁电存储机理 | 第13-14页 |
| ·铁电随机存储器FeRAM | 第14-17页 |
| ·铁电场效应晶体管FeFET | 第17-19页 |
| ·优点和存在的主要问题 | 第19-20页 |
| ·存储失效机理 | 第20-22页 |
| ·疲劳 | 第21页 |
| ·保持 | 第21页 |
| ·印记 | 第21-22页 |
| ·保持性研究现状 | 第22-23页 |
| ·选题依据及主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 MFIS 结构制备 | 第24-33页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·基片处理 | 第24页 |
| ·绝缘层薄膜的制备 | 第24-27页 |
| ·MBE 方法介绍 | 第24-26页 |
| ·材料选取与制备 | 第26-27页 |
| ·铁电薄膜的制备 | 第27-31页 |
| ·溶胶-凝胶制备方法的基本原理 | 第27页 |
| ·溶胶- 凝胶法制膜所需设备 | 第27-28页 |
| ·制备工艺 | 第28-31页 |
| ·镀电极 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第3章 MFIS 结构电学性能测试及结果分析 | 第33-39页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·C-V 特性 | 第33-36页 |
| ·不同绝缘层厚度 | 第33-34页 |
| ·不同电压范围 | 第34-35页 |
| ·不同扫描速度 | 第35页 |
| ·不同频率 | 第35-36页 |
| ·不同绝缘层厚度的漏电流特性 | 第36-37页 |
| ·不同绝缘层厚度的保持特性 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第4章 基于漏电流的保持性失效模型 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·基于漏电流的P -t 保持性失效模型 | 第39-43页 |
| ·漏电流 | 第39-40页 |
| ·模型建立 | 第40-41页 |
| ·结果分析与实验对比 | 第41-43页 |
| ·MFIS 结构模拟 | 第43-46页 |
| ·经典的Miller 模型 | 第43-44页 |
| ·改进的Miller 模型 | 第44页 |
| ·MFIS 结构模拟 | 第44-46页 |
| ·C-t 保持性失效模型 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 论文发表 | 第58页 |
