| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·纳米材料和纳米科学 | 第8页 |
| ·一维纳米材料的基本特性与效应 | 第8-11页 |
| ·机械性能 | 第9页 |
| ·紫外-可见吸收特性 | 第9页 |
| ·光致发光性质 | 第9-10页 |
| ·荧光偏振行为 | 第10页 |
| ·电传输性质 | 第10-11页 |
| ·一维Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料研究现状 | 第11-14页 |
| ·ZnO和ZnS的基本结构 | 第11-14页 |
| ·一维半导体材料的研究现状 | 第14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第2章 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米带的制备及表征 | 第16-26页 |
| ·ZnO和ZnS纳米带的制备 | 第16-17页 |
| ·纳米带的形貌与结构表征 | 第17-23页 |
| ·纳米带晶体结构的XRD分析 | 第17-19页 |
| ·纳米带晶体结构的TEM分析 | 第19-22页 |
| ·纳米带表面形貌AFM和纳米压痕仪表征 | 第22-23页 |
| ·ZnO和ZnS纳米带的紫外-可见吸收光谱 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 单根Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米带的光电开关特性 | 第26-36页 |
| ·单根 ZnO和 ZnS纳米带半导体光电导开关装置 | 第26-28页 |
| ·开关的伏安特性测试 | 第28-31页 |
| ·伏安特性测试装置 | 第28-29页 |
| ·单根纳米带半导体光电导开关的伏安特性 | 第29-31页 |
| ·单根纳米带光电导半导体开关的光灵敏度 | 第31页 |
| ·单根纳米带开关功能测试 | 第31-33页 |
| ·开关功能测试电路 | 第31-32页 |
| ·单根纳米带光电导半导体开关的电压-时间谱 | 第32-33页 |
| ·单根纳米带光电导半导体开关的开关性能 | 第33页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米带光电开关特性的机理分析 | 第33-35页 |
| ·氧吸附原理 | 第34页 |
| ·光电开关特性的机理分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米带薄膜的光电开关特性 | 第36-44页 |
| ·ZnO和ZnS纳米带薄膜半导体光电导开关装置 | 第36-38页 |
| ·开关的伏安特性测试 | 第38-41页 |
| ·伏安特性测试装置 | 第38-39页 |
| ·纳米带薄膜光电导半导体开关的伏安特性 | 第39-40页 |
| ·纳米带薄膜光电导半导体开关的光灵敏度 | 第40-41页 |
| ·纳米带薄膜开关功能测试 | 第41-43页 |
| ·开关功能测试电路 | 第41页 |
| ·纳米带薄膜光电导半导体开关的电压-时间谱 | 第41-42页 |
| ·纳米带薄膜光电导半导体开关的开关性能 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 总结与展望 | 第44-46页 |
| ·论文结论 | 第44-45页 |
| ·工作展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间发表的论文和成果 | 第50页 |