| 摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-14页 |
| 引言 | 第14-16页 |
| 第一章 低维介观体系和自旋电子学 | 第16-38页 |
| ·半导体量子阱和超晶格 | 第17-22页 |
| ·半导体量子阱和超晶格介绍 | 第17-19页 |
| ·半导体超晶格的分类 | 第19-20页 |
| ·量子阱和超晶格的特性 | 第20-22页 |
| ·半导体量子点 | 第22-26页 |
| ·量子点简介 | 第22-23页 |
| ·量子点的性质 | 第23-25页 |
| ·量子点的制备方法 | 第25-26页 |
| ·半导体自旋电子学研究进展 | 第26-33页 |
| ·自旋电子学的兴起 | 第26-27页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第27-28页 |
| ·自旋电子注入 | 第28-29页 |
| ·自旋轨道相互作用 | 第29-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 几种输运中常用的研究方法 | 第38-54页 |
| ·Landauer-B(u|¨)ttiker公式 | 第38-40页 |
| ·传输矩阵 | 第40-43页 |
| ·散射矩阵 | 第43-45页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第45-52页 |
| ·非平衡格林函数的定义 | 第45-47页 |
| ·非平衡格林函数方法的应用及电流表达式 | 第47-49页 |
| ·非平衡格林函数的三大方程 | 第49-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 Dresselhaus自旋轨道耦合对自旋极化输运的影响 | 第54-84页 |
| ·Floquet定理 | 第54页 |
| ·Fano效应 | 第54-58页 |
| ·对称半导体双势垒结构中自旋极化的场助共振隧穿 | 第58-70页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·模型和公式 | 第59-63页 |
| ·数值结果和讨论 | 第63-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| ·n个势阱形成的超晶格结构中自旋极化输运和共振劈裂规则研究 | 第70-80页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·模型和公式 | 第71-73页 |
| ·数值结果和讨论 | 第73-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 第四章 Rashba自旋轨道相互作用导致的自旋极化输运 | 第84-120页 |
| ·Andreev反射介绍 | 第84-86页 |
| ·Rashba自旋轨道相互作用的二次量子化 | 第86-91页 |
| ·双AB干涉仪中RSOI引起的Andreev反射流的自旋极化 | 第91-104页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·模型和公式 | 第92-96页 |
| ·数值结果和讨论 | 第96-103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| ·电子和空穴共同形成的纯自旋注入器 | 第104-115页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·模型和公式 | 第105-111页 |
| ·数值结果和讨论 | 第111-114页 |
| ·小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-120页 |
| 总结与展望 | 第120-122页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表的论文 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
