| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 集成电路中薄膜的应用 | 第6-9页 |
| ·薄膜定义 | 第6-7页 |
| ·集成电路中的薄膜制造技术 | 第7-9页 |
| 第二章 金属钴和钛硅化物的特性 | 第9-20页 |
| ·金属钴和钛硅化物功函数与其它金属的比较 | 第9-13页 |
| ·金属钴和钛与半导体(介质)接触实际问题 | 第13-14页 |
| ·金属钛和钴硅化物的晶粒结构比较 | 第14-15页 |
| ·金属钴和钛与硅接触形成硅化物时的扩散方向 | 第15-16页 |
| ·金属钴和钛硅化物栅极电阻特性 | 第16-18页 |
| ·金属薄膜钴和钛电阻率特性以及热稳定性 | 第18-20页 |
| 第三章 薄膜金属钴和钛的制备工艺条件 | 第20-42页 |
| ·金属钴和钛薄膜的溅射 | 第20-35页 |
| ·辉光放电溅射法 | 第26-33页 |
| ·磁控溅射 | 第33-35页 |
| ·硅化物的形成 | 第35页 |
| ·金属硅化物自对准硅化及自对准工艺 | 第35-40页 |
| ·工艺制造要求 | 第38-39页 |
| ·设备要求 | 第39-40页 |
| ·制造过程中的工艺优化 | 第40-42页 |
| ·钴金属薄膜氧化问题 | 第40页 |
| ·后续热处理对硅化物均一度的影响 | 第40-42页 |
| 第四章 实验总结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |