| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-17页 |
| 1绪论 | 第17-29页 |
| 1.1低维光催化材料简介 | 第17-22页 |
| 1.1.1研究背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.1.2半导体材料概述 | 第18-19页 |
| 1.1.3常见几种低维半导体光催化剂的基本结构 | 第19-22页 |
| 1.2低维复合材料类型简介 | 第22-24页 |
| 1.2.1金属单质修饰的复合物 | 第22-23页 |
| 1.2.2非金属单质修饰的复合物 | 第23页 |
| 1.2.3基于金属化合物的复合物 | 第23-24页 |
| 1.2.4基于非金属化合物的复合物 | 第24页 |
| 1.3低维复合半导体的特点 | 第24-25页 |
| 1.4光催化反应过程 | 第25-27页 |
| 1.5本课题研究的目的与意义 | 第27-29页 |
| 1.5.1研究的目的 | 第27-28页 |
| 1.5.2研究的意义 | 第28-29页 |
| 2样品制备与表征 | 第29-36页 |
| 2.1实验试剂和设备 | 第29-31页 |
| 2.2材料的制备方法 | 第31-32页 |
| 2.3材料的结构表征和测试 | 第32-36页 |
| 2.3.1X射线衍射仪（XRD） | 第32页 |
| 2.3.2X射线光电子能谱（XPS） | 第32页 |
| 2.3.3光致发光光谱（PL） | 第32-33页 |
| 2.3.4紫外可见分光光度计（UV-Vis） | 第33页 |
| 2.3.5扫描电子显微镜（SEM） | 第33页 |
| 2.3.6透射电子显微镜（TEM）/高分辨率透射电子显微镜（HRTEM） | 第33页 |
| 2.3.7拉曼光谱分析（Raman） | 第33-34页 |
| 2.3.8紫外光光电子能谱（UPS） | 第34页 |
| 2.3.9傅里叶红外可见光吸收光谱（FT-IR） | 第34页 |
| 2.3.10比表面积检测仪（BET） | 第34页 |
| 2.3.11光催化性能测试方法 | 第34-36页 |
| 3量子点乙炔黑（AB）桥接二维MoS2和多层g-C3N4光照下驱动降解有机物 | 第36-51页 |
| 3.1样品的制备步骤和性能 | 第37-38页 |
| 3.1.1g-C3N4/AB/MoS2水热合成过程 | 第37页 |
| 3.1.2合成温度和时间对样品的结构及性能影响 | 第37-38页 |
| 3.2合成材料的结果和讨论 | 第38-49页 |
| 3.2.1样品组成和结构（XRD） | 第38-40页 |
| 3.2.2X射线光电子能谱（XPS） | 第40-42页 |
| 3.2.3光学吸收和带隙（UV-Vis） | 第42-43页 |
| 3.2.4样品的形貌结构 | 第43-44页 |
| 3.2.5光致发光光谱（PL） | 第44-45页 |
| 3.2.6紫外光电子能谱（UPS） | 第45-46页 |
| 3.2.7傅里叶红外可见光谱（FT-IR） | 第46-47页 |
| 3.2.8光催化性能 | 第47-49页 |
| 3.3小结 | 第49-51页 |
| 4MoS2/SnS2二维复合修饰层状g-C3N4及其光照条件下降解有机物 | 第51-63页 |
| 4.1样品的制备步骤 | 第51-53页 |
| 4.1.1g-C3N4/SnS2/MoS2水热合成过程 | 第51-52页 |
| 4.1.2合成温度和时间对样品的结构及性能影响 | 第52-53页 |
| 4.2合成材料的结果和讨论 | 第53-61页 |
| 4.2.1样品组成和结构（XRD） | 第53-54页 |
| 4.2.2X射线光电子能谱（XPS） | 第54-55页 |
| 4.2.3光学吸收和带隙（UV-Vis） | 第55-56页 |
| 4.2.4拉曼光谱分析（Raman） | 第56-57页 |
| 4.2.5样品的形貌结构 | 第57-59页 |
| 4.2.6光致发光光谱（PL） | 第59页 |
| 4.2.7紫外光电子能谱（UPS） | 第59-60页 |
| 4.2.8光催化性能 | 第60-61页 |
| 4.3小结 | 第61-63页 |
| 5结论与展望 | 第63-64页 |
| 5.1全文结论 | 第63页 |
| 5.2展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 作者简介及读研期间主要科研成果 | 第72页 |
| 作者简介 | 第72页 |
| 研究成果 | 第72页 |
