| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 太阳能电池概述 | 第9-10页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池 | 第10-16页 |
| 1.2.1 钙钛矿电池的发展历程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 钙钛矿材料 | 第11-12页 |
| 1.2.3 钙钛矿太阳能电池 | 第12-16页 |
| 1.3 空穴传输材料在钙钛矿太阳能电池中的应用 | 第16-18页 |
| 1.3.1 有机空穴传输材料 | 第16-17页 |
| 1.3.2 无机空穴传输材料 | 第17-18页 |
| 1.4 钙钛矿器件的稳定性问题 | 第18-19页 |
| 1.5 选题依据及意义 | 第19-20页 |
| 1.6 主要章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 Spiro-OMeTAD (HTL)对钙钛矿器件光电性能及稳定性的影响 | 第21-39页 |
| 2.1 绪论 | 第21-22页 |
| 2.2 钙钛矿器件制备 | 第22-23页 |
| 2.3 钙钛矿器件光电性能测试 | 第23-32页 |
| 2.3.1 器件性能时间演变过程 | 第23-30页 |
| 2.3.2 Spiro-OMeTAD材料性能时间演变过程 | 第30-32页 |
| 2.4 氮气气氛下spiro-OMeTAD材料及器件性能变化规律 | 第32-35页 |
| 2.5 Spiro-OMeTAD中的掺杂对器件电荷传输性能的影响 | 第35-37页 |
| 2.6 小结 | 第37-39页 |
| 第三章 铜基空穴传输层(HTL)对钙钛矿器件光电性能及稳定性的影响 | 第39-56页 |
| 3.1 绪论 | 第39-41页 |
| 3.2 Cu_2S薄膜的制备 | 第41-44页 |
| 3.2.1 真空蒸镀法制备Cu_2S薄膜 | 第41-42页 |
| 3.2.2 溶液旋涂法制备Cu_2S薄膜 | 第42-44页 |
| 3.3 铜基钙钛矿器件的制备及光电性能比较研究 | 第44-54页 |
| 3.3.1 Cu_2S基钙钛矿太阳能电池 | 第44-51页 |
| 3.3.2 其他铜基钙钛矿太阳能电池 | 第51-54页 |
| 3.4 小结 | 第54-56页 |
| 第四章 铜离子掺杂对钙钛矿器件光电性能及稳定性的影响 | 第56-78页 |
| 4.1 绪论 | 第56-57页 |
| 4.2 铜离子掺杂对钙钛矿薄膜结晶性和形貌的影响 | 第57-66页 |
| 4.3 铜离子掺杂对钙钛矿器件光电性能的影响 | 第66-71页 |
| 4.4 铜离子掺杂对钙钛矿器件稳定性的影响 | 第71-77页 |
| 4.4.1 铜离子掺杂钙钛矿薄膜的稳定性 | 第71-72页 |
| 4.4.2 铜离子掺杂钙钛矿器件的稳定性 | 第72-77页 |
| 4.5 小结 | 第77-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-93页 |
| 附录A | 第93-95页 |
| 附录B | 第95页 |
