| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·光电探测器理论 | 第8-13页 |
| ·基于宽禁带半导体的紫外光探测器的进展情况 | 第13-15页 |
| ·本论文的研究意义及主要内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-22页 |
| 第二章 纳米TiO_2薄膜的制备与表征 | 第22-53页 |
| ·纳米TiO_2 的结构 | 第23-26页 |
| ·锐钛矿 | 第24-25页 |
| ·金红石 | 第25页 |
| ·板钛矿 | 第25-26页 |
| ·TiO_2 的应用 | 第26-27页 |
| ·TiO_2 薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜的制备和表征 | 第28-39页 |
| ·溶胶凝胶法(sol-gel)原理 | 第28-29页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜的制备 | 第29-30页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜的表征 | 第30-39页 |
| ·Ti_xZr_(1-x)O_2 固溶体薄膜的制备和表征 | 第39-43页 |
| ·Ti_xZr_(1-x)O_2 固溶体薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·Ti_xZr_(1-x)O_2 固溶体薄膜的表征 | 第40-43页 |
| ·用自组装法制备TiO_2 薄膜及其表征 | 第43-49页 |
| ·自组装法制备TiO_2 薄膜原理 | 第43-45页 |
| ·制备TiO_2 薄膜的过程 | 第45-46页 |
| ·TiO_2 薄膜的表征 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 MSM型紫外探测器的制作和性能测试 | 第53-79页 |
| ·MSM型光电探测器工作原理 | 第53-57页 |
| ·光电探测器的主要参数 | 第57-62页 |
| ·器件结构对探测器性能的影响 | 第62-64页 |
| ·基于TiO_2 薄膜的MSM型紫外探测器的制作 | 第64-66页 |
| ·基于sol-gel法制备的TiO_2 薄膜的器件的光电性能测试 | 第66-71页 |
| ·器件的I-V特性曲线 | 第66-68页 |
| ·器件在不同波长下的光响应 | 第68-69页 |
| ·器件的响应时间 | 第69-71页 |
| ·基于Ti_(0.8)Zr_(0.2)O_2 固溶体薄膜的器件的光电性能测试 | 第71-73页 |
| ·基于自组装法制备的TiO_2 薄膜器件的光电性能测试 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第四章 TiO_2-金属接触肖特基势垒高度的研究 | 第79-97页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第79-80页 |
| ·肖特基势垒的载流子输运理论 | 第80-84页 |
| ·热电子发射理论 | 第81-82页 |
| ·扩散理论 | 第82-83页 |
| ·热发射-扩散理论 | 第83-84页 |
| ·肖特基势垒的I-V特性 | 第84-86页 |
| ·影响势垒高度的几个原因 | 第86-89页 |
| ·外加偏压对势垒高度的影响 | 第86-87页 |
| ·界面态对势垒高度的影响 | 第87-88页 |
| ·镜像力对势垒高度的影响 | 第88-89页 |
| ·Ni/TiO_2/Ni和Au/TiO_2/Au两种器件的势垒高度的研究 | 第89-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第五章 紫外线强度测试仪的制作 | 第97-108页 |
| ·紫外线和紫外线指数 | 第97-98页 |
| ·紫外线指数的计算 | 第98-100页 |
| ·紫外线强度测试仪制作 | 第100-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 第六章 总结 | 第108-111页 |
| 攻读博士学位论文期间发表的论文 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 摘要 | 第113-117页 |
| Abstract | 第117-121页 |
