| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 Cu_xNi_y薄膜的研究背景 | 第10-15页 |
| 1.3 Cu_xNi_y薄膜的外延生长及衬底选择 | 第15-17页 |
| 1.4 Cu_xNi_y外延薄膜研究现状 | 第17-23页 |
| 1.4.1 Cu薄膜的外延生长及研究现状 | 第17-20页 |
| 1.4.2 Ni薄膜的外延生长及研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4.3 Cu-Ni薄膜的生长及研究现状 | 第21-23页 |
| 1.5 本论文的研究目标及内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验与表征 | 第24-33页 |
| 2.1 实验原料 | 第24-25页 |
| 2.2 实验设备与方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 沉积设备及技术原理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 直流磁控溅射沉积原理 | 第27-28页 |
| 2.2.3 直流磁控溅射沉积特点 | 第28-29页 |
| 2.3 实验设计及工艺路线 | 第29-30页 |
| 2.4 测试与表征 | 第30-33页 |
| 2.4.1 X-射线衍射 | 第30-31页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.4.3 电子探针显微分析 | 第32页 |
| 2.4.4 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 第3章 磁控溅射法制备Cu外延薄膜 | 第33-56页 |
| 3.1 沉积温度对薄膜生长的影响 | 第33-38页 |
| 3.1.1 沉积温度对薄膜物相结构的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.2 沉积温度对薄膜微观形貌的影响 | 第35-37页 |
| 3.1.3 沉积温度对薄膜沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| 3.2 溅射功率对薄膜生长的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.1 溅射功率对薄膜物相结构的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.2 溅射功率对薄膜形貌的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.3 溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第41-42页 |
| 3.3 AE分压对薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| 3.3.1 AE分压对薄膜物相结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 AE分压对薄膜微观形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.3 AE分压对薄膜沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 基板种类对薄膜生长的影响 | 第45-50页 |
| 3.4.1 基板种类对薄膜物相结构的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.2 基板种类对薄膜微观形貌的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.3 基板种类对薄膜沉积速率的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 Cu薄膜粗糙度的研究 | 第50-51页 |
| 3.6 Cu薄膜的外延生长模式 | 第51-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 磁控溅射法制备Cu_xNi_y薄膜 | 第56-68页 |
| 4.1 拼合方式和沉积温度对薄膜生长的影响 | 第57-60页 |
| 4.1.1 拼合方式和沉积温度对薄膜组分的影响 | 第57-58页 |
| 4.1.2 拼合方式和沉积温度对薄膜形貌的影响 | 第58-59页 |
| 4.1.3 拼合方式和沉积温度对薄膜沉积速率的影响 | 第59-60页 |
| 4.2 拼合方式和溅射功率对薄膜生长的影响 | 第60-63页 |
| 4.2.1 拼合方式和溅射功率对薄膜组分的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.2 拼合方式和溅射功率对薄膜形貌的影响 | 第61-62页 |
| 4.2.3 拼合方式和溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 基板种类对薄膜生长的影响 | 第63-66页 |
| 4.3.1 拼合方式和溅射功率对薄膜组分的影响 | 第64页 |
| 4.3.2 拼合方式和沉积温度对薄膜形貌的影响 | 第64-66页 |
| 4.3.3 拼合方式和沉积温度对薄膜沉积速率的影响 | 第66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第5章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文、申请专利情况 | 第79页 |
