| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 电力电子集成模块封装综述 | 第8-10页 |
| 1.1.1 电力电子集成模块封装现状 | 第8-9页 |
| 1.1.2 芯片级互连技术 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米银焊膏的发展综述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 烧结理论 | 第10-12页 |
| 1.2.2 纳米银焊膏的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米银焊膏于芯片裸铜基板连接的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的研究目的及内容 | 第14-16页 |
| 第二章 微-纳颗粒混合银焊膏的表征及实验方案 | 第16-26页 |
| 2.1 微-纳颗粒混合银焊膏表征及热行为研究 | 第16-18页 |
| 2.1.1 微-纳颗粒混合银焊膏表征 | 第16-17页 |
| 2.1.2 热行为 | 第17-18页 |
| 2.2 实验方案 | 第18-21页 |
| 2.2.1 试样及其制备过程 | 第18-20页 |
| 2.2.2 印刷工艺 | 第20-21页 |
| 2.3 实验设计 | 第21-23页 |
| 2.3.1 空气烧结 | 第21-23页 |
| 2.3.2 低真空烧结 | 第23页 |
| 2.4 测试方法 | 第23-26页 |
| 2.4.1 粘接性能 | 第23-24页 |
| 2.4.2 热学性能 | 第24-26页 |
| 第三章 芯片连接层的瞬态热阻测试方法 | 第26-36页 |
| 3.1 K因子的标定 | 第26-28页 |
| 3.2 瞬态热阻测试装置 | 第28-32页 |
| 3.3 tMA和tMD的正确选取 | 第32-33页 |
| 3.4 热沉的影响 | 第33-35页 |
| 3.5 误差评估 | 第35-36页 |
| 第四章 空气烧结裸铜接头的性能和连接机理 | 第36-46页 |
| 4.1 热学和力学性能表征 | 第36-37页 |
| 4.2 烧结过程 | 第37-39页 |
| 4.3 界面连接 | 第39-43页 |
| 4.3.1 界面失效模式 | 第39-41页 |
| 4.3.2 界面粘接机理研究 | 第41-43页 |
| 4.4 空气中温度循环实验 | 第43-46页 |
| 4.4.1 温度循环实验准备 | 第43-44页 |
| 4.4.2 实验结果及讨论 | 第44-46页 |
| 第五章 低真空烧结裸铜接头的性能和连接机理 | 第46-62页 |
| 5.1 低真空烧结实验设计 | 第46-50页 |
| 5.2 热学和力学性能表征 | 第50-51页 |
| 5.3 低真空烧结过程 | 第51-55页 |
| 5.4 低真空烧结裸铜接头的断裂方式和界面连接机理 | 第55-58页 |
| 5.5 低真空烧结裸铜接头的温度循环实验 | 第58-62页 |
| 5.5.1 温度循环实验准备 | 第58-59页 |
| 5.5.2 实验结果及讨论 | 第59-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |