| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9页 |
| 第1章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 光电探测器分类 | 第17-20页 |
| 1.2.1 光电导型探测器 | 第17页 |
| 1.2.2 PN结型光电探测器 | 第17-18页 |
| 1.2.3 光电三极管 | 第18-19页 |
| 1.2.4 雪崩光电二极管 | 第19页 |
| 1.2.5 肖特基势垒光电探测器 | 第19-20页 |
| 1.3 光电探测器参数 | 第20-23页 |
| 1.3.1 探测波长λ | 第20页 |
| 1.3.2 光谱响应度R | 第20-21页 |
| 1.3.3 探测率D与比探测率D* | 第21页 |
| 1.3.4 上升时间下降时间与响应频率 | 第21-22页 |
| 1.3.5 噪声等效功率(NEP) | 第22-23页 |
| 1.3.6 线性动态范围 | 第23页 |
| 1.4 半导体材料表征方法 | 第23-26页 |
| 1.4.1 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 1.4.2 场发射扫描电子显微镜 | 第24页 |
| 1.4.3 拉曼光谱仪 | 第24-25页 |
| 1.4.4 高分辨透射电子显微镜 | 第25页 |
| 1.4.5 射线光电子能谱分析仪 | 第25页 |
| 1.4.6 紫外可见近红外分光光度计 | 第25-26页 |
| 1.5 本课题研究背景及其研究意义 | 第26-28页 |
| 第2章 基于二维二碲化钼-硅异质结光电探测器的制备及光电性能研究 | 第28-46页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 FL-MoTe_2/Si异质结的制备与表征 | 第29-31页 |
| 2.2.1 MoTe_2/Si异质结的合成 | 第29-30页 |
| 2.2.2 FL-MoTe_2/Si异质结的表征 | 第30-31页 |
| 2.3 基于2DFL-MoTe_2/Si光电探测器制备 | 第31-35页 |
| 2.3.1 光电探测器电极的制备 | 第31-34页 |
| 2.3.2 Gr/MoTe_2接触特性 | 第34-35页 |
| 2.4 基于2DFL-MoTe_2/Si光电探测器性能研究 | 第35-43页 |
| 2.5 实验设备 | 第43-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 第3章 石墨烯/硅近红外光电探测器的制备及性能研究 | 第46-54页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 Gr的制备与表征 | 第46-48页 |
| 3.2.1 Gr的制备方法 | 第46-47页 |
| 3.2.2 Gr的制备流程 | 第47-48页 |
| 3.2.3 Gr的表征 | 第48页 |
| 3.3 Gr/Si近红外光电特性研究 | 第48-53页 |
| 3.3.1 Gr/Si光电探测器制备 | 第48-49页 |
| 3.3.2 Gr/Si光电探测器表征 | 第49-52页 |
| 3.3.3 Gr/SivdWH模型 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 4.1 本文主要工作总结 | 第54页 |
| 4.2 未来展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第62-63页 |
