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新型碳和碳化物材料物性研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第14-15页
缩略语对照表第15-18页
第一章 绪论第18-24页
    1.1 研究背景第18-23页
    1.2 研究内容和意义第23-24页
第二章 计算的理论基础第24-30页
    2.1 密度泛函理论第24-27页
        2.1.1 Hohenberg-Kohn定理第24-26页
        2.1.2 Konh-Sham方程第26-27页
    2.2 晶体结构预测技术第27-30页
        2.2.1 粒子群优化算法第27-28页
        2.2.2 基于粒子群优化算法的晶体结构预测第28-30页
第三章 新型碳材料研究第30-46页
    3.1新型超硬碳材料:四方C_(64)第30-36页
        3.1.1 四方C_(64)的计算方法第30页
        3.1.2 四方C_(64)的结构研究第30-33页
        3.1.3 四方C_(64)的物性研究第33-36页
    3.2新型超硬金属性碳材料C_5第36-40页
        3.2.1 C_5的计算方法第36页
        3.2.2 C_5的结构研究第36-37页
        3.2.3 C_5的物性研究第37-40页
    3.3新型轻质金属性碳材料mC_(12)第40-44页
        3.3.1 mC_(12)的计算方法第40页
        3.3.2 mC_(12)的结构研究第40-42页
        3.3.3 mC_(12)的物性研究第42-44页
    3.4 本章小结第44-46页
第四章 新型金属和非金属碳化物材料研究第46-82页
    4.1 新型碳化钙材料第47-64页
        4.1.1 碳化钙的计算方法第47页
        4.1.2 Ca_2C的物性研究第47-57页
        4.1.3 C2/m-Ca_2C_3的物性研究第57-64页
    4.2 新型P4_2/mnm-SiC材料第64-71页
        4.2.1 P4_2/mnm-SiC的计算方法第64页
        4.2.2 P4_2/mnm-SiC的结构研究第64-65页
        4.2.3 P4_2/mnm-SiC的物性研究第65-71页
    4.3 XC_6和XC_(12)的性质研究第71-81页
        4.3.1 XC_6和XC_(12)的计算方法第71页
        4.3.2 XC_6和XC_(12)的物性研究第71-81页
    4.4 本章小结第81-82页
第五章 新型半导体材料研究第82-108页
    5.1 新型c-C_3N材料第82-92页
        5.1.1 c-C_3N的计算方法第82页
        5.1.2 c-C_3N的结构研究第82-84页
        5.1.3 c-C_3N的物性研究第84-92页
    5.2 新型MoS材料第92-99页
        5.2.1 MoS的计算方法第92页
        5.2.2 MoS的结构研究第92-94页
        5.2.3 MoS的物性研究第94-99页
    5.3 新型直接带隙Si材料第99-105页
        5.3.1 计算方法第99页
        5.3.2 直接带隙Si的物性研究第99-105页
    5.4 本章小结第105-108页
第六章 总结与展望第108-110页
参考文献第110-120页
致谢第120-122页
作者简介第122-124页

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