| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 符号使用说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 课题研究基础 | 第15-17页 |
| 1.2.1 核心器件磁隧道结的简介 | 第15-16页 |
| 1.2.2 STT-MRAM存储单元的读写机理 | 第16-17页 |
| 1.3 研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.1 STT-MRAM存储单元研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.2 面向STT-MRAM存储单元设计的研究方法 | 第23页 |
| 1.4 本课题主要研究工作 | 第23-25页 |
| 1.5 论文结构 | 第25-27页 |
| 第二章 磁隧道结的SPICE建模 | 第27-42页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 磁隧道结电路级建模研究现状 | 第27-29页 |
| 2.3 行为级物理模型 | 第29-34页 |
| 2.3.1 电子自旋和磁矩 | 第29-30页 |
| 2.3.2 隧穿磁阻效应 | 第30-32页 |
| 2.3.3 自旋转移矩效应 | 第32-34页 |
| 2.4 面向SPICE模拟的准动态模型建立 | 第34-40页 |
| 2.4.1 STT-MTJ的模型建立与验证 | 第35-37页 |
| 2.4.2 STT-CPMTJ的模型建立与验证 | 第37-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 基于微磁模拟的无读破坏性读操作方法探索 | 第42-49页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 微磁模拟平台搭建 | 第43-45页 |
| 3.2.1 OOMMF模拟平台简介 | 第44页 |
| 3.2.2 STT-CPMTJ的微磁模拟实验环境和方法建立 | 第44-45页 |
| 3.3 基于STT-CPMTJ的无读破坏读操作方法研究 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 基于STT-CPMTJ的无读破坏低功耗存储单元设计 | 第49-58页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 读写路径分离的存储单元设计 | 第50-51页 |
| 4.3 阵列和外围电路设计 | 第51-54页 |
| 4.3.1 阵列和读写控制电路设计 | 第52页 |
| 4.3.2 敏感放大器设计 | 第52-54页 |
| 4.4 阵列级的存储单元特性评估 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 新型存储单元在非易失性寄存器设计中的应用 | 第58-65页 |
| 5.1 引言 | 第58-60页 |
| 5.2 全模非易失性寄存器设计和评估 | 第60-63页 |
| 5.2.1 全模非易失性寄存器设计 | 第61页 |
| 5.2.2 写回模式的特性评估 | 第61-63页 |
| 5.3 混模式非易失性寄存器设计与验证 | 第63-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结束语 | 第65-68页 |
| 6.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 6.2 研究展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第74页 |
