| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-35页 |
| 1.1 六方氮化硼薄膜概述 | 第14-21页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第14-16页 |
| 1.1.2 氮化硼薄膜的结构 | 第16-20页 |
| 1.1.3 六方氮化硼的性质 | 第20-21页 |
| 1.2 六方氮化硼薄膜的制备方法及研究现状 | 第21-29页 |
| 1.2.1 机械剥离 | 第21页 |
| 1.2.2 化学剥离 | 第21-22页 |
| 1.2.3 化学气相沉积(CVD) | 第22-27页 |
| 1.2.4 其他合成方法 | 第27-29页 |
| 1.3 六方氮化硼薄膜的应用领域 | 第29-33页 |
| 1.3.1 电学性能及其应用 | 第29-30页 |
| 1.3.2 光学性能及其应用 | 第30-31页 |
| 1.3.3 抗氧化性能及其应用 | 第31页 |
| 1.3.4 其他性能及其应用 | 第31-33页 |
| 1.4 论文选题依据和研究内容 | 第33-35页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第33页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 实验过程与研究方法 | 第35-47页 |
| 2.1 主要原料与试剂 | 第35-36页 |
| 2.2 基底预处理 | 第36-39页 |
| 2.2.1 基底抛光 | 第36-38页 |
| 2.2.2 基底清洗 | 第38页 |
| 2.2.3 基底退火 | 第38-39页 |
| 2.3 六方氮化硼薄膜的制备工艺 | 第39-41页 |
| 2.4 六方氮化硼薄膜的转移 | 第41-44页 |
| 2.4.1 传统PMMA转移法 | 第41-42页 |
| 2.4.2 鼓泡法 | 第42-43页 |
| 2.4.3 直接转移法 | 第43-44页 |
| 2.5 表征分析与性能测试 | 第44-47页 |
| 2.5.1 成分分析 | 第44页 |
| 2.5.2 形貌分析 | 第44页 |
| 2.5.3 结构分析 | 第44-45页 |
| 2.5.4 光学特性测试 | 第45页 |
| 2.5.5 力学特性测试 | 第45-46页 |
| 2.5.6 电学性能测试 | 第46-47页 |
| 第三章 CVD法制备六方氮化硼薄膜的工艺研究 | 第47-76页 |
| 3.1 六方氮化硼薄膜的化学气相沉积过程概述 | 第47-53页 |
| 3.1.1 CVD六方氮化硼的反应机理 | 第47-48页 |
| 3.1.2 CVD六方氮化硼的动力学概述 | 第48-53页 |
| 3.2 CVD六方氮化硼的表面过程机理 | 第53-61页 |
| 3.2.1 h-BN晶粒形貌变化的理论解释 | 第53-57页 |
| 3.2.2 h-BN晶粒的形貌变化 | 第57-61页 |
| 3.3 化学气相沉积工艺参数对六方氮化硼薄膜质量的影响 | 第61-74页 |
| 3.3.1 稀释气流量对六方氮化硼薄膜厚度的控制 | 第61-65页 |
| 3.3.2 先驱体流量对六方氮化硼薄膜厚度的控制 | 第65-67页 |
| 3.3.3 生长温度对六方氮化硼薄膜质量的影响 | 第67-70页 |
| 3.3.4 金属基底对六方氮化硼薄膜的影响 | 第70-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 六方氮化硼薄膜的性能研究 | 第76-92页 |
| 4.1 六方氮化硼薄膜的光学性能 | 第76-79页 |
| 4.2 六方氮化硼薄膜的力学性能 | 第79-83页 |
| 4.3 六方氮化硼薄膜的抗氧化性能 | 第83-88页 |
| 4.4 六方氮化硼薄膜的电学性能 | 第88-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 结束语 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-109页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第109页 |