摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-33页 |
1.1 引言 | 第11-13页 |
1.2 金属表面二维超薄结构的生长 | 第13-21页 |
1.2.1 金属表面生长六方氮化硼 | 第13-18页 |
1.2.2 金属表面制备超薄氧化锌 | 第18-21页 |
1.3 二维超薄结构与金属衬底的相互作用 | 第21-25页 |
1.4 二维结构的表界面化学研究 | 第25-31页 |
1.4.1 二维超薄结构/金属衬底界面插层 | 第25-29页 |
1.4.2 超薄氧化锌表面羟基化 | 第29-31页 |
1.5 本论文的选题依据 | 第31-33页 |
第2章 实验综述 | 第33-49页 |
2.1 仪器简介 | 第33-37页 |
2.1.1 多功能纳米探针系统 | 第33-35页 |
2.1.2 纳米真空互联实验站-表面催化系统 | 第35-36页 |
2.1.3 近常压X射线光电子能谱系统 | 第36-37页 |
2.2 表征技术及其原理 | 第37-46页 |
2.2.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第37-41页 |
2.2.2 紫外光电子能谱(UPS) | 第41-42页 |
2.2.3 高分辨电子能量损失谱(HR-EELS) | 第42-43页 |
2.2.4 扫描隧道电子显微镜(STM) | 第43-46页 |
2.3 实验方法 | 第46-49页 |
2.3.1 单晶样品的处理 | 第46页 |
2.3.2 气体与生长源 | 第46-48页 |
2.3.3 模型样品的制备 | 第48-49页 |
第3章 二维h-BN限域体系下分子插层与反应的近常压研究 | 第49-75页 |
3.1 引言 | 第49-50页 |
3.2 h-BN/Ni(111)体系下CO吸脱附与解离行为的近常压XPS研究 | 第50-56页 |
3.2.1 h-BN/Ni(111)结构的原位生长及CO吸脱附行为的研究 | 第50-53页 |
3.2.2 h-BN/Ni(111)体系下CO解离反应的研究 | 第53-56页 |
3.3 CO插层h-BN/Pt(111)的原位动态表征 | 第56-71页 |
3.3.1 制备富缺陷和少缺陷的六方氮化硼 | 第56-57页 |
3.3.2 CO插层富缺陷的六方氮化硼 | 第57-60页 |
3.3.3 CO插层少缺陷的满单层六方氮化硼 | 第60-63页 |
3.3.4 CO插层h-BN/Pt(111)后的结构分析 | 第63-67页 |
3.3.5 CO插层h-BN/Pt(111)体系二维限域富集效应 | 第67-71页 |
3.4 二维h-BN限域下水插层的探索 | 第71-74页 |
3.5 小结 | 第74-75页 |
第4章 Au(111)表面ZnO纳米结构的可控制备及其羟基化的研究 | 第75-97页 |
4.1 引言 | 第75页 |
4.2 Au(111)和Zn/Au(111)表面氧化的研究 | 第75-78页 |
4.3 Zn与Au(111)表面合金化效应 | 第78-81页 |
4.4 Au(111)表面超薄ZnO纳米结构的可控制备 | 第81-87页 |
4.5 超薄ZnOAu(111)表面羟基化行为的研究 | 第87-93页 |
4.5.1 超薄氧化锌活化水分子 | 第87-90页 |
4.5.2 超薄氧化锌与原子氢的反应 | 第90-93页 |
4.6 超薄ZnO/Au(111)的氧化与反应行为研究 | 第93-95页 |
4.7 小结 | 第95-97页 |
第5章 结论与展望 | 第97-99页 |
5.1 结论 | 第97-98页 |
5.2 展望 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-117页 |
附录 原位Raman研究金属负载二氧化钒氢化与脱氢行为 | 第117-131页 |
引言 | 第117-118页 |
实验与表征技术 | 第118-120页 |
VO_2材料的制备 | 第118-119页 |
材料表征 | 第119-120页 |
结果与讨论 | 第120-126页 |
结论 | 第126-127页 |
参考文献 | 第127-131页 |
致谢 | 第131-132页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文及其他研究成果 | 第132-133页 |