| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 二维二硫化钼 | 第12-20页 |
| 1.2.1 二硫化钼研究概述 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二硫化钼的晶体和能带结构 | 第13-14页 |
| 1.2.3 单原子层二硫化钼的制备 | 第14-15页 |
| 1.2.4 二维二硫化钼的表征 | 第15-19页 |
| 1.2.5 基于二维二硫化钼的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 谷电子学 | 第20-25页 |
| 1.3.1 电子自旋与谷自旋 | 第20-21页 |
| 1.3.2 圆偏光的谷电子操纵 | 第21-23页 |
| 1.3.3 谷霍尔效应 | 第23-24页 |
| 1.3.4 谷激子 | 第24-25页 |
| 1.4 薄膜表征技术 | 第25-29页 |
| 1.4.1 XRD测试和表征 | 第25-26页 |
| 1.4.2 TEM测试和表征 | 第26-28页 |
| 1.4.3 XPS测试和表征 | 第28-29页 |
| 1.5 半导体输运性能测试 | 第29-30页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第30-32页 |
| 2 实验 | 第32-38页 |
| 2.1 实验材料及仪器 | 第32页 |
| 2.2 二维MoS_2薄膜制备与表征 | 第32-34页 |
| 2.2.1 二维MoS_2薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 2.2.2 极薄薄膜样品的表征 | 第34页 |
| 2.3 四端微结构样品的制备与测试 | 第34-38页 |
| 3 薄膜表征结果与分析 | 第38-46页 |
| 3.1 XRD表征分析 | 第38-39页 |
| 3.2 HRTEM的表征分析 | 第39-42页 |
| 3.3 XPS的表征分析 | 第42-45页 |
| 3.4 薄膜表征结果小结 | 第45-46页 |
| 4 四端微结构电学测量结果与分析 | 第46-59页 |
| 4.1 恒电流设定值的影响 | 第46-52页 |
| 4.2 圆偏振光光强的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 椭圆偏振光偏振态的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 光源的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 机理分析 | 第57-58页 |
| 4.6 小结 | 第58-59页 |
| 5 总论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录1：作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第66页 |