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基于NAND闪存的缓冲区管理优化算法研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 研究背景与意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-13页
        1.2.1 基于NAND闪存的地址映射算法研究第11-12页
        1.2.2 基于NAND闪存的页面替换算法研究第12-13页
    1.3 本文研究内容及主要工作第13-15页
    1.4 本文组织结构第15-16页
第二章 NAND闪存相关工作第16-26页
    2.1 NAND闪存相关介绍第16-17页
    2.2 NAND闪存地址映射相关技术第17-20页
        2.2.1 页地址映射第17-18页
        2.2.2 块地址映射第18-19页
        2.2.3 混合映射第19-20页
    2.3 缓冲区页面替换算法管理第20-25页
        2.3.1 传统的缓冲区页面替换算法第20-22页
        2.3.2 面向NAND闪存的缓冲区替换算法第22-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 基于请求的NAND闪存页地址映射算法第26-40页
    3.1 引言第26页
    3.2 闪存转换层架构第26-27页
    3.3 基于NAND闪存的页映射方法第27-30页
        3.3.1 主要思想第27-28页
        3.3.2 DPAM算法整体结构第28-30页
    3.4 页地址映射算法详细设计第30-39页
        3.4.1 地址转换读请求处理第30-34页
        3.4.2 地址转换写请求处理第34-37页
        3.4.3 DPAM算法总体流程第37-39页
    3.5 本章小结第39-40页
第四章 基于访问概率的NAND闪存缓冲区页面替换算法第40-50页
    4.1 引言第40页
    4.2 PR-LRU页面替换策略第40-42页
        4.2.1 主要思想第40-41页
        4.2.2 PR-LRU算法队列结构第41-42页
    4.3 PR-LRU算法的详细设计第42-49页
        4.3.1 访问概率计算第42-43页
        4.3.2 PR-LRU算法流程第43-47页
        4.3.3 应用实例第47-49页
    4.4 本章小结第49-50页
第五章 实验分析第50-61页
    5.1 测试平台与参数设置第50-51页
        5.1.1 实验软件平台介绍第50-51页
        5.1.2 实验参数设置第51页
    5.2 基于请求的NAND闪存页地址映射算法实验第51-55页
        5.2.1 命中率比较第52-53页
        5.2.2 块擦除次数比较第53-55页
    5.3 基于访问概率的NAND闪存缓冲区页面替换算法实验第55-59页
        5.3.1 命中率比较第56-57页
        5.3.2 写操作次数比较第57-58页
        5.3.3 运行时间比较第58-59页
    5.4 本章小结第59-61页
第六章 总结与展望第61-63页
    6.1 本文工作总结第61-62页
    6.2 未来展望第62-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-70页
附录第70-71页
详细摘要第71-73页

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