单晶碳化硅超声—电化学机械抛光仿真与实验研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-16页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 课题主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 碳化硅研抛过程中流场仿真 | 第17-39页 |
| 2.1 流场仿真模型 | 第17-19页 |
| 2.2 边界条件及初始条件设置 | 第19-20页 |
| 2.3 二维仿真结果分析 | 第20-27页 |
| 2.3.1 振动频率对流场的影响 | 第21-24页 |
| 2.3.2 超声振幅对流场特性的影响 | 第24-27页 |
| 2.4 抛光垫对流场特性的影响 | 第27-32页 |
| 2.4.1 超声频率对流场特性的影响 | 第28-30页 |
| 2.4.2 超声振幅对流场特性的影响 | 第30-32页 |
| 2.5 三维流场仿真分析 | 第32-36页 |
| 2.5.1 三维仿真模型 | 第32-33页 |
| 2.5.2 结果与分析 | 第33-36页 |
| 2.6 抛光盘圆平动对流场的影响 | 第36-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 碳化硅研抛过程中温度场及电场仿真 | 第39-52页 |
| 3.1 温度场仿真 | 第39-45页 |
| 3.1.1 温度场仿真模型 | 第39-40页 |
| 3.1.2 边界条件及初始条件设置 | 第40-41页 |
| 3.1.3 结果与分析 | 第41-45页 |
| 3.2 电场仿真 | 第45-48页 |
| 3.2.1 电场仿真模型 | 第45页 |
| 3.2.2 边界条件设置 | 第45页 |
| 3.2.3 结果与分析 | 第45-48页 |
| 3.3 电化学传质分析 | 第48-51页 |
| 3.3.1 电极反应模型 | 第48-50页 |
| 3.3.2 结果与分析 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 实验系统设计 | 第52-59页 |
| 4.1 试验机的原理及改进 | 第52-54页 |
| 4.1.1 试验机原理 | 第52页 |
| 4.1.2 试验机改进 | 第52-54页 |
| 4.2 数据采集系统介绍 | 第54-57页 |
| 4.2.1 所用设备及程序 | 第54-55页 |
| 4.2.2 正压力的获取 | 第55-56页 |
| 4.2.3 摩擦力的获取 | 第56页 |
| 4.2.4 材料去除率的计算 | 第56-57页 |
| 4.3 半固定磨粒抛光盘及抛光液的制备 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 碳化硅研抛试验 | 第59-71页 |
| 5.1 无辅助条件下的抛光实验 | 第59-63页 |
| 5.2 电场辅助条件下的研抛实验 | 第63-67页 |
| 5.3 超声-电化学机械研抛实验 | 第67-69页 |
| 5.4 摩擦磨损机理分析 | 第69-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录 ：各条件下验试件质量变化记录 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
