氧化温度和掺Mo对VO2薄膜温度电阻系数（TCR）的影响
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 二氧化钒薄膜材料的研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 二氧化钒晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 二氧化钒的相变性质 | 第15-16页 |
| 1.2.3 掺杂对二氧化钒的影响 | 第16-17页 |
| 1.3 非制冷探测器的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3.1 非制冷红外探测器的发展 | 第17-19页 |
| 1.3.2 非制冷红外微测辐射热计的基本原理 | 第19-21页 |
| 1.4 研究内容及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 二氧化钒薄膜的制备 | 第23-36页 |
| 2.1 二氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 气相沉积法 | 第23页 |
| 2.1.2 真空蒸发镀膜法 | 第23-24页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法 | 第24页 |
| 2.1.4 溶胶-凝胶法 | 第24页 |
| 2.1.5 溅射镀膜法 | 第24-25页 |
| 2.2 溅射氧化耦合法的优势 | 第25-26页 |
| 2.3 实验设备 | 第26-28页 |
| 2.3.1 磁控溅射真空镀膜仪 | 第26-28页 |
| 2.3.2 热处理（氧化）设备 | 第28页 |
| 2.4 实验流程 | 第28-31页 |
| 2.4.1 清洗基片 | 第28-29页 |
| 2.4.2 真空室预处理 | 第29页 |
| 2.4.3 制备流程 | 第29-30页 |
| 2.4.4 样品氧化 | 第30-31页 |
| 2.5 表征方法 | 第31-35页 |
| 2.5.1 四探针法 | 第31-32页 |
| 2.5.2 台阶仪 | 第32-33页 |
| 2.5.3 原子力电子显微镜（AFM） | 第33页 |
| 2.5.4 X 射线衍射（XRD） | 第33-34页 |
| 2.5.5 X 射线光电子能谱（XPS） | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 氧化温度对氧化钒薄膜的影响 | 第36-44页 |
| 3.1 实验设置 | 第36-37页 |
| 3.2 薄膜物相分析 | 第37页 |
| 3.3 薄膜成分分析 | 第37-39页 |
| 3.4 氧化温度对薄膜形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 氧化温度对薄膜 TCR 的影响 | 第40-41页 |
| 3.6 颗粒度影响薄膜 TCR 的规律 | 第41-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Mo 掺杂对氧化钒薄膜的影响 | 第44-57页 |
| 4.1 实验设置 | 第44-45页 |
| 4.2 Mo 掺杂对于薄膜形貌的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 Mo 掺杂对于薄膜成分的影响 | 第46-50页 |
| 4.4 Mo 掺杂对于薄膜电学性质的影响 | 第50-56页 |
| 4.4.1 Mo 掺杂对于薄膜相变的影响 | 第50-53页 |
| 4.4.2 Mo 掺杂对于薄膜 TCR 的影响 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
