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600V VDMOS的设计与研究

内容提要第1-6页
目录第6-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·功率半导体器件的发展历史与趋势第8-9页
   ·VDMOS的技术特点第9-10页
   ·VDMOS的应用以及发展趋势第10-11页
   ·论文的创新点第11页
   ·论文的结构第11-12页
第二章 VDMOS的演化、工作原理和电学特性第12-24页
   ·功率MOSFET结构的演化历程第12-15页
     ·LDMOS第13页
     ·VVMOS第13-14页
     ·VDMOS第14-15页
   ·VDMOS的工作原理第15-16页
   ·VDMOS的电学特性第16-24页
     ·VDMOS的静态特性第16-19页
     ·动态特性第19-24页
第三章 VDMOS的制造工艺理论及模型第24-40页
   ·光刻第24-26页
   ·氧化第26-29页
   ·扩散第29-31页
   ·离子注入第31-33页
   ·薄膜淀积第33-36页
   ·刻蚀第36-40页
第四章 VDMOS的设计第40-45页
   ·元胞参数设计第40-44页
     ·元胞形状设计第40-41页
     ·元胞详细参数设计第41-44页
   ·VDMOS工艺流程设计第44-45页
第五章 VDMOS设计的计算机仿真验证第45-52页
   ·工艺器件仿真软件简介第45-46页
   ·Athena工艺仿真器第46-49页
   ·Atlas器件仿真器第49-52页
第六章 VDMOS的器件仿真和工艺仿真第52-67页
   ·VDMOS的器件结构仿真验证第52-57页
     ·VDMOS应用Atlas的仿真第52-57页
   ·VDMOS的ATHENA工艺流程仿真验证第57-67页
第七章 结论第67-68页
参考文献第68-71页
致谢第71-72页
摘要第72-74页
ABSTRACT第74-76页

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