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GaN基LED中引入银纳米结构对其发光效率影响的研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 研究背景与意义第10页
    1.2 国内外发展现状第10-14页
    1.3 研究内容和论文结构第14-16页
第二章 理论基础第16-30页
    2.1 发光二极管的基本理论第16-20页
        2.1.1 LED的发光原理第16-17页
        2.1.2 LED的光学和频率响应性质第17-20页
    2.2 金属表面等离子体的基本理论第20-29页
        2.2.1 表面等离激元第20-24页
        2.2.2 局域表面等离子体第24-27页
        2.2.3 金属表面等离子体的数值计算方法第27-29页
    2.3 本章小结第29-30页
第三章 银纳米球阵列对LED发光效率的增强效应第30-40页
    3.1 含银纳米球阵列的LED模型第30页
    3.2 间距对银纳米球阵列LSP特性的影响第30-33页
    3.3 直径对银纳米球阵列LSP特性的影响第33-35页
    3.4 银纳米球阵列对LED发光效率的影响第35-39页
    3.5 本章小结第39-40页
第四章 银纳米柱对LED发光效率的增强效应第40-52页
    4.1 多量子阱层中嵌入银纳米柱的LED模型第40-41页
    4.2 尺寸对银纳米柱LSP特性的影响第41-46页
        4.2.1 底面半径对银纳米柱的LSP特性的影响第41-43页
        4.2.2 高度对银纳米柱的LSP特性的影响第43-44页
        4.2.3 银纳米柱的的近场增强与极化模式分析第44-46页
    4.3 Al_2O_3厚度对银纳米柱的LSP特性的影响第46-49页
    4.4 银纳米柱对LED发光效率的影响第49-50页
    4.5 本章小结第50-52页
总结第52-53页
参考文献第53-58页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第58-59页
致谢第59-60页
附件第60页

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