| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 过渡金属硫族化合物 | 第11-12页 |
| 1.2 WS_2的结构性质及相关应用 | 第12-13页 |
| 1.3 二维材料的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.3.3 液相剥离法 | 第15页 |
| 1.3.4 薄膜硫化法 | 第15-16页 |
| 1.3.5 离子剥离法 | 第16页 |
| 1.4 选题背景和研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验原料与性能表征 | 第17-20页 |
| 2.1 实验原料与仪器 | 第17-19页 |
| 2.2 表征方法 | 第19-20页 |
| 2.2.1 拉曼光谱(Raman) | 第19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope,SEM) | 第19页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AtomicForceMicroscope,AFM) | 第19页 |
| 2.2.4 光致发光光谱(PhotoluminescenceSpectroscopy,PL) | 第19页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscope,TEM) | 第19-20页 |
| 第3章 CVD方法制备WS_2薄膜及其表征 | 第20-31页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 WS_2薄膜制备方法 | 第20-21页 |
| 3.3 WS_2薄膜生长条件的优化 | 第21-27页 |
| 3.3.1 物料 | 第21-22页 |
| 3.3.2 气压模式 | 第22-23页 |
| 3.3.3 温度 | 第23页 |
| 3.3.4 保温时长 | 第23-24页 |
| 3.3.5 硫粉用量 | 第24-25页 |
| 3.3.6 气体流速 | 第25-26页 |
| 3.3.7 基片位置 | 第26-27页 |
| 3.4 WS_2薄膜性能的表征 | 第27-30页 |
| 3.4.1 Raman表征WS_2薄膜性能 | 第27-28页 |
| 3.4.2 AFM表征WS_2薄膜性能 | 第28页 |
| 3.4.3 PL表征WS_2薄膜性能 | 第28-29页 |
| 3.4.4 TEM表征WS_2薄膜性能 | 第29-30页 |
| 3.5 小结 | 第30-31页 |
| 第4章 转移WS_2薄膜的方案研究 | 第31-36页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 实验部分 | 第31-35页 |
| 4.2.1 PMMA介质转移法 | 第31-32页 |
| 4.2.2 聚苯乙烯介质转移法 | 第32-34页 |
| 4.2.3 双层高分子聚合物转移法 | 第34-35页 |
| 4.3 小结 | 第35-36页 |
| 第5章 液相剥离法制备WS_2薄膜与柔性光电器件的性能研究 | 第36-48页 |
| 5.1 引言 | 第36页 |
| 5.2 实验部分 | 第36-43页 |
| 5.2.1 甲苯液相剥离WS | 第36-40页 |
| 5.2.2 NMP液相剥离WS | 第40-41页 |
| 5.2.3 NMP液相剥离石墨 | 第41-43页 |
| 5.3 柔性衬底WS_2薄膜光电探测器的性能表征 | 第43-47页 |
| 5.3.1 不同转速条件制备的WS_2柔性薄膜 | 第43-45页 |
| 5.3.2 掺杂石墨的WS_2柔性薄膜 | 第45-47页 |
| 5.4 小结 | 第47-48页 |
| 第6章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录 | 第55页 |
