芯片原子钟磁屏蔽及C场技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 芯片原子钟的研究概况 | 第12-18页 |
| 1.3 磁屏蔽的研究概况 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 基本原理 | 第20-33页 |
| 2.1 铷原子的特性和能级结构图 | 第20-21页 |
| 2.2 光与磁场中的原子相互作用 | 第21-23页 |
| 2.2.1 塞曼效应 | 第21-22页 |
| 2.2.2 磁场对芯片原子钟的影响 | 第22-23页 |
| 2.3 相干布居囚禁原理 | 第23-25页 |
| 2.4 磁屏蔽基本理论 | 第25-29页 |
| 2.4.1 磁介质的边界条件 | 第26-28页 |
| 2.4.2 磁感应线的折射 | 第28-29页 |
| 2.4.3 磁屏蔽 | 第29页 |
| 2.5 亥姆霍兹线圈 | 第29-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 芯片原子钟整体系统 | 第33-41页 |
| 3.1 芯片原子钟系统结构 | 第33页 |
| 3.2 物理系统 | 第33-40页 |
| 3.2.1 VCSEL | 第33-35页 |
| 3.2.2 波片 | 第35-36页 |
| 3.2.3 MEMS气室 | 第36-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 磁屏蔽系统的设计、仿真与测试 | 第41-52页 |
| 4.1 磁屏蔽的必要性 | 第41页 |
| 4.2 磁屏蔽设计注意事项 | 第41-42页 |
| 4.3 磁屏蔽材料的选择 | 第42-43页 |
| 4.4 磁屏蔽系统的屏蔽系数公式推导 | 第43-48页 |
| 4.4.1 单层球形磁屏蔽装置的屏蔽系数 | 第43-44页 |
| 4.4.2 单层圆柱形磁屏蔽装置的屏蔽系数 | 第44-45页 |
| 4.4.3 多层磁屏蔽装置的屏蔽系数 | 第45-46页 |
| 4.4.4 磁屏蔽装置屏蔽效能随各结构参数的变化 | 第46-48页 |
| 4.5 磁屏蔽系统的仿真分析 | 第48-50页 |
| 4.5.1 地磁场仿真模型的建立 | 第48页 |
| 4.5.2 磁屏蔽系统模型建立与仿真分析 | 第48-50页 |
| 4.6 磁屏蔽系统的测试与分析 | 第50-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 C场的设计、仿真与加工 | 第52-60页 |
| 5.1 C场的作用 | 第52页 |
| 5.2 C场模型的仿真与均匀场分析 | 第52-58页 |
| 5.2.1 C场的磁场分布 | 第52-54页 |
| 5.2.2 C场均匀性分析 | 第54-57页 |
| 5.2.2.1 Maxwell仿真分析 | 第54-55页 |
| 5.2.2.2 MATLAB仿真分析 | 第55-57页 |
| 5.2.3 C场电流源的设计 | 第57-58页 |
| 5.3 吸收谱线的测试 | 第58-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 工作总结 | 第60-61页 |
| 6.2 工作展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
