| 中文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-20页 |
| ·多体问题近似 | 第9-10页 |
| ·Hartree-Fock近似方法 | 第10-11页 |
| ·密度泛函理论 | 第11-18页 |
| ·局域密度近似 | 第13-14页 |
| ·平面波赝势方法 | 第14-16页 |
| ·从头算模守恒赝势 | 第16-18页 |
| ·Abinit程序包介绍 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnGa_2X_4(X=S,Se,Te)的不同结构的电子结构 | 第20-29页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·电子结构 | 第21-28页 |
| ·DC结构(I4空间群) | 第21-24页 |
| ·DF结构(I42m空间群) | 第24-27页 |
| ·DC和DF能带结构的比较 | 第27-28页 |
| ·结果讨论 | 第28-29页 |
| 第三章 ZnGa_2X_4(X=S,Se,Te)带隙压力系数的预测和经验规律 | 第29-39页 |
| ·ZnGa_2S_4,ZnGa_2Se_4和ZnGa_2Te_4(DC与DF结构)的体变模量 | 第29页 |
| ·ZnGaS_4,ZnGa_2Se_4和ZnGa_2Te_4(DC与DF结构)的压力系数 | 第29-36页 |
| ·经验规律 | 第36-37页 |
| ·结果讨论 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 个人简介 | 第44-45页 |
