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嵌入线缺陷的石墨烯纳米条带的电子输运性质

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
引言第10-11页
第1章 绪论第11-19页
    1.1 介观物理中的一些基本概念第11-12页
    1.2 几种典型的低维半导体结构及其基本特性第12-15页
        1.2.1 准二维半导体结构(量子阱、超晶格)第12页
        1.2.2 二维结构(二维石墨)第12-13页
        1.2.3 准一维结构(量子线)第13-14页
        1.2.4 准零维结构(量子点)第14-15页
    1.3 低维体系中的基本效应第15-16页
        1.3.1 量子限制效应第15页
        1.3.2 量子隧穿效应第15页
        1.3.3 库仑阻塞效应第15-16页
        1.3.4 Fano 效应第16页
    1.4 全新的研究热点第16-19页
第2章 理论基础与计算方法第19-26页
    2.1 理论基础第19-22页
        2.1.1 平衡态格林函数第19页
        2.1.2 非平衡态格林函数第19-22页
    2.2 格林函数的求解第22-26页
第3章 嵌入线缺陷的石墨烯量子线第26-35页
    3.1 结构模型第26-27页
    3.2 数值分析第27-33页
    3.3 本章小结第33-35页
第4章 嵌入新型线缺陷的石墨烯量子线第35-43页
    4.1 结构模型第35-36页
    4.2 数值分析第36-41页
    4.3 本章小结第41-43页
第5章 嵌入特殊型线缺陷的石墨烯纳米条带第43-47页
    5.1 结构模型第43-44页
    5.2 数值分析第44-46页
    5.3 本章小结第46-47页
第6章 结论第47-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-54页

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