| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第13-14页 |
| 1.1.1 导体表面的微放电现象 | 第13页 |
| 1.1.2 GIL/GIS中的微放电现象 | 第13-14页 |
| 1.2 大气压放电等离子体材料表面改性方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 大气压放电等离子体研究概述 | 第14-15页 |
| 1.2.2 大气压放电等离子体材料表面改性研究进展 | 第15-17页 |
| 1.2.3 等离子体增强化学气相沉积功能性薄膜研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 中国科学院电工研究所研究成果 | 第19-22页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第22-23页 |
| 2 实验装置与测量系统 | 第23-30页 |
| 2.1 大气压DBD等离子体表面改性实验装置 | 第23-24页 |
| 2.2 大气压等离子体射流表面改性实验装置 | 第24-25页 |
| 2.3 实验测量系统 | 第25-29页 |
| 2.3.1 物理化学特性测量 | 第26-28页 |
| 2.3.2 电学特性测量 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 介质阻挡放电沉积类SiO2绝缘薄膜特性调控 | 第30-43页 |
| 3.1 介质阻挡放电沉积实验参数 | 第30-31页 |
| 3.2 物理化学特性测试 | 第31-38页 |
| 3.2.1 表面微观形貌及厚度 | 第31-35页 |
| 3.2.2 薄膜化学成分测量 | 第35-38页 |
| 3.3 薄膜绝缘稳定性分析 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 射流沉积TiO2薄膜研究 | 第43-55页 |
| 4.1 射流沉积实验参数与优化 | 第43-47页 |
| 4.2 物理化学特性测试 | 第47-53页 |
| 4.2.1 表面微观形貌及厚度 | 第47-49页 |
| 4.2.2 薄膜化学成分分析 | 第49-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 薄膜对导体表面及GIL中微放电的抑制效果 | 第55-63页 |
| 5.1 导体表面缺陷微放电的抑制 | 第55-59页 |
| 5.1.1 尖端电晕起始电压测量 | 第55-57页 |
| 5.1.2 静电场仿真 | 第57-58页 |
| 5.1.3 功函数测量 | 第58-59页 |
| 5.2 GIS/GIL中微放电的抑制 | 第59-62页 |
| 5.2.1 金属微粒受力分析 | 第59-61页 |
| 5.2.2 启举电压测量 | 第61-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 6 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 主要工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |