| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 Bi基化合物半导体 | 第10-14页 |
| 1.2.1 Bi基化合物 | 第10-11页 |
| 1.2.2 氧化铋和硫化铋半导体 | 第11-13页 |
| 1.2.3 卤氧化铋半导体 | 第13-14页 |
| 1.3 核-壳型半导体材料 | 第14-20页 |
| 1.3.1 核-壳型半导体材料概述 | 第14-16页 |
| 1.3.2 核-壳型半导体材料的性能 | 第16页 |
| 1.3.3 不同形貌的核-壳型纳米半导体材料的制备 | 第16-20页 |
| 1.4 光电化学应用 | 第20-22页 |
| 1.4.1 半导体光电化学 | 第20页 |
| 1.4.2 光电化学太阳能电池 | 第20-22页 |
| 1.5 本文的构思与主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 Bi_2O_x@Bi_2S_3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第23-33页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 试剂和溶液配置 | 第24页 |
| 2.2.2 FTO/Bi_2O_x@Bi_2S_3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 表征方法 | 第25页 |
| 2.2.4 光电化学性能测试 | 第25页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第25-31页 |
| 2.3.1 Bi_2O_x和Bi_2O_x@Bi_2S_3薄膜的表征 | 第26-29页 |
| 2.3.2 Bi_2O_x、Bi_2O_x@Bi_2S_3和Bi_2S_3薄膜电极的光电化学性能 | 第29-31页 |
| 2.4 小结 | 第31-33页 |
| 第三章 纳米片状BiOCl半导体薄膜的制备及表层脱Cl~-嵌S~(2-)提高光电化学性能 | 第33-46页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-35页 |
| 3.2.1 试剂、溶液配置 | 第34页 |
| 3.2.2 BiOCl和SS-BiOCl半导体薄膜的制备 | 第34页 |
| 3.2.3 表征方法 | 第34-35页 |
| 3.2.4 光电化学性能测试 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-45页 |
| 3.3.1 Bi电极在NaCl溶液中的电化学行为 | 第35-37页 |
| 3.3.2 BiOCl,SS-BiOCl和CS-BiOCl薄膜的表征 | 第37-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 纳米片状BiOBr半导体薄膜的制备及表层脱Cl~-嵌S~(2-)提高光电化学性能 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-47页 |
| 4.2.1 试剂与溶液配置 | 第46-47页 |
| 4.2.2 BiOBr和SS-BiOBr半导体薄膜的制备 | 第47页 |
| 4.2.3 表征方法 | 第47页 |
| 4.2.4 光电化学性能测试 | 第47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-56页 |
| 4.3.1 Bi电极在KBr溶液中的电化学行为 | 第48-49页 |
| 4.3.2 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜的表征 | 第49-53页 |
| 4.3.3 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜电极的光电化学性能 | 第53-54页 |
| 4.3.4 BiOBr和[BiS]的能带位置计算 | 第54-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 结语 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 攻读学位期间发表的文章 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
