| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 IGBT的提出和器件的演变 | 第11-13页 |
| 1.2.2 模型的建立 | 第13-14页 |
| 1.2.3 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 论文的研究目的和意义 | 第15页 |
| 1.4 论文主要工作 | 第15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第2章 超结(Super-Junction)IGBT器件和原理分析 | 第16-30页 |
| 2.1 超结(Super-Junction)理论介绍 | 第16-18页 |
| 2.2 超结IGBT结构和工作原理 | 第18-20页 |
| 2.3 超结IGBT静态特性 | 第20-25页 |
| 2.3.1 击穿特性 | 第20-23页 |
| 2.3.2 正向导通特性 | 第23-25页 |
| 2.4 IGBT动态特性 | 第25-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 FS超结(FSSJ)IGBT模型 | 第30-44页 |
| 3.1 FS层物理模型 | 第30-34页 |
| 3.1.1 FS层静态物理模型 | 第32-33页 |
| 3.1.2 FS层动态物理模型 | 第33-34页 |
| 3.2 p柱和n柱物理模型 | 第34-38页 |
| 3.2.1 p柱和n柱静态物理模型 | 第34-35页 |
| 3.2.2 p柱和n柱动态物理模型 | 第35-38页 |
| 3.3 关断损耗和导通压降模型 | 第38-40页 |
| 3.4 仿真分析及模型验证 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 半超结(Semi-SJ)IGBT模型 | 第44-62页 |
| 4.1 Semi-SJIGBT结构和工作原理介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 Semi-SJIGBT特性分析 | 第45-52页 |
| 4.2.1 Semi-SJIGBT静态特性分析 | 第46-50页 |
| 4.2.2 Semi-SJIGBT动态特性分析 | 第50-52页 |
| 4.3 Semi-SJIGBT物理模型 | 第52-60页 |
| 4.3.1 Drift层物理模型 | 第53-56页 |
| 4.3.2 p柱和n柱物理模型 | 第56-60页 |
| 4.4 仿真分析及模型验证 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第68-69页 |