| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 现代信息存储 | 第10-11页 |
| 1.3 相变存储 | 第11-15页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第15-20页 |
| 1.5 研究目的及主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 理论基础 | 第22-29页 |
| 2.1 第一性原理 | 第22-23页 |
| 2.1.1 第一性原理基本概念 | 第22页 |
| 2.1.2 第一性原理方法的发展 | 第22-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.2.1 密度泛函理论基本概念 | 第23页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn 定理 | 第23-25页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham 方程 | 第25-27页 |
| 2.2.4 交换关联能泛函 | 第27页 |
| 2.3 计算工具 | 第27-29页 |
| 第三章 相变存储材料 Ge_2Sb_2Te_5的电子激发力学 | 第29-48页 |
| 3.1 背景介绍 | 第29页 |
| 3.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 模型构建 | 第30-31页 |
| 3.4 电子激发诱导的应力及其规律 | 第31-33页 |
| 3.5 空穴效应应力作用下的相变 | 第33-40页 |
| 3.6 光激发作用下的应力 | 第40-41页 |
| 3.7 原子力及其影响因素 | 第41-44页 |
| 3.8 光激发应力作用下的相变 | 第44-47页 |
| 3.9 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 相变存储材料 Ge_1Cu_2Te_3非晶稳定性机理 | 第48-60页 |
| 4.1 背景介绍 | 第48-49页 |
| 4.2 计算方法 | 第49页 |
| 4.3 模型构建 | 第49-50页 |
| 4.4 非晶 Ge_1Cu_2Te_3结构表征 | 第50-54页 |
| 4.5 非晶稳定性原子层次因素分析 | 第54-55页 |
| 4.6 非晶稳定性电子层次因素分析 | 第55-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 铜纳米线拉伸断裂过程的原子尺度分子动力学模拟 | 第60-65页 |
| 5.1 背景介绍 | 第60页 |
| 5.2 计算方法及模型构建 | 第60-61页 |
| 5.3 拉伸断裂过程中的缺陷行为及其影响因素 | 第61-63页 |
| 5.4 纳米线断裂后的结构形貌变化 | 第63-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
