| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO性质 | 第9-13页 |
| 1.2.1 ZnO结构性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 ZnO光学性质 | 第10-12页 |
| 1.2.3 ZnO半导体的发光机制 | 第12-13页 |
| 1.3 金属表面修饰对ZnO纳米光学性能的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 ZnO材料的制备技术 | 第14-17页 |
| 1.4.1 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第14页 |
| 1.4.2 水热法 | 第14-16页 |
| 1.4.3 MOCVD法 | 第16页 |
| 1.4.4 模板法 | 第16页 |
| 1.4.5 磁控溅射法(MS) | 第16-17页 |
| 1.5 ZnO半导体材料存在问题及研究现状 | 第17-18页 |
| 1.6 选题依据及研究内容 | 第18-20页 |
| 1.6.1 选题依据 | 第18-19页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 ZnO纳米材料的制备及表征 | 第20-32页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第20-21页 |
| 2.2 样品的制备工艺 | 第21-25页 |
| 2.2.1 ZnO种子层的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.2 Al掺杂ZnO纳米棒的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.3 Al掺杂ZnO纳米管和Cu修饰Al掺杂ZnO纳米管的制备 | 第25页 |
| 2.3 样品的表征 | 第25-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| 2.3.2 荧光分光光谱 | 第27-28页 |
| 2.3.3 紫外可见分光光谱 | 第28-29页 |
| 2.3.4 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第29-30页 |
| 2.3.5 光催化性能 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 Al掺杂ZnO薄膜的制备及性能的研究 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 实验内容 | 第32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-49页 |
| 3.3.1 匀胶机旋涂速率对ZnO薄膜的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.2 Al掺杂量对ZnO薄膜结构和光学性质的影响 | 第33-43页 |
| 3.3.3 预热温度对Al掺杂ZnO纳米薄膜的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.4 退火温度对Al掺杂ZnO薄膜的影响 | 第44-49页 |
| 3.3.5 种子层厚度对Al掺杂ZnO薄膜的影响 | 第49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 Al掺杂ZnO纳米棒的制备及性能的研究 | 第50-57页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 实验内容 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-56页 |
| 4.3.1 种子层中Al的浓度对ZnO纳米棒的影响 | 第50-51页 |
| 4.3.2 种子层厚度对ZnO纳米棒的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.3 水热温度对ZnO纳米棒的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.4 水热时间对纳米棒的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.5 聚乙烯亚胺对ZnO纳米棒的影响 | 第55页 |
| 4.3.6 种子层退火温度对ZnO纳米棒的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 Cu修饰ZnO纳米管的制备及性能的研究 | 第57-66页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 实验内容 | 第57-58页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第58-65页 |
| 5.3.1 双氧水(H_2O_2)的浓度对Al掺杂ZnO纳米棒结构的影响 | 第58-60页 |
| 5.3.2 Cu修饰对Al掺杂ZnO纳米管光催化性能的影响 | 第60-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附件 | 第74页 |
