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Bi基拓扑绝缘体与WTe2家族生长和电学性质研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-52页
    1.1 物质拓扑相的研究第13-21页
        1.1.1 实空间中的拓扑相变:Kosterlitz-Thouless相变第14-16页
        1.1.2 动量空间中的拓扑相:从量子Hall效应到量子反常Hall效应第16-21页
    1.2 拓扑绝缘体第21-37页
        1.2.1 量子自旋Hall效应第21-27页
        1.2.2 三维拓扑绝缘体第27-32页
        1.2.3 破坏时间反演对称性与磁性拓扑绝缘体第32-34页
        1.2.4 镜面对称性与拓扑晶态绝缘体第34-37页
    1.3 拓扑半金属第37-51页
        1.3.1 Dirac半金属与Weyl半金属第38-44页
        1.3.2 Fermi弧第44-47页
        1.3.3 手性反常第47-49页
        1.3.4 第二类拓扑半金属第49-51页
    1.4 小结第51-52页
第二章 材料与方法第52-69页
    2.1 材料生长第52-55页
        2.1.1 熔融法与助熔剂法第53-54页
        2.1.2 气相输运法第54-55页
    2.2 表征方法第55-60页
        2.2.1 低温物性质测量第55-57页
        2.2.2 极端条件物性测量第57-59页
        2.2.3 角分辨光电子能谱第59页
        2.2.4 结构与成分分析第59-60页
    2.3 数据处理方法第60-69页
        2.3.1 基本电磁信号第60-62页
        2.3.2 迁移率谱第62-65页
        2.3.3 量子振荡第65-69页
第三章 Bi基三维拓扑绝缘体的电学性质调控第69-90页
    3.1 Bi基三维拓扑绝缘体中的缺陷类型与能带工程第69-72页
        3.1.1 缺陷与Fermi能级调控第69-71页
        3.1.2 能带工程第71-72页
    3.2 BiSbTeSe_2第72-79页
        3.2.1 单晶生长与基本电学性质第72-76页
        3.2.2 拓扑表面态电子结构第76-77页
        3.2.3 表面态的量子Hall效应第77-79页
    3.3 Sn-Bi_(1.1)Sb_(0.9)Te_2S第79-83页
        3.3.1 单晶生长与基本电学性质第79-81页
        3.3.2 拓扑表面态电子结构第81-82页
        3.3.3 表面态的量子Hall效应第82-83页
    3.4 小结第83-90页
第四章 WTe_2中的电子-空穴平衡与压力诱导超导第90-114页
    4.1 WTe_3的晶体结构与基本电学性质第90-94页
        4.1.1 晶体结构第90-91页
        4.1.2 基本电学性质第91-94页
    4.2 WTe_2中的电子-空穴平衡第94-100页
        4.2.1 电子-空穴平衡机制与能带结构第94-95页
        4.2.2 电子-空穴平衡的证据:迁移率谱第95-99页
        4.2.3 线性磁电阻现象第99-100页
    4.3 WTe_2中压力诱导超导与电子-空穴平衡的破坏第100-105页
        4.3.1 WTe_2压力下Fermi面的变化第100-102页
        4.3.2 压力下的超导相变第102-105页
    4.4 小结第105-114页
第五章 Mo_xW_(1-x)Te_2中的拓扑态与Fermi面演化第114-134页
    5.1 背景与Mo_xW_(1-x)Te_2生长第114-117页
        5.1.1 Mo掺杂对Mo_xW_(1-x)Te_2体系的影响第114-116页
        5.1.2 Mo_xW_(1-x)Te_2生长第116-117页
    5.2 Mo_xW_(1-x)Te_2中的第二类Weyl态第117-122页
        5.2.1 第二类Weyl态与Fermi能级调控第117-120页
        5.2.2 拓扑Weyl相变第120-122页
    5.3 Mo_xW_(1-x)Te_2的电输运研究第122-128页
        5.3.1 Fermi面演化第122-126页
        5.3.2 各向异性磁电阻第126-128页
    5.4 小结第128-134页
第六章 总结第134-138页
    6.1 回顾第134-135页
    6.2 展望第135-138页
参考文献第138-174页
科研成果第174-177页
致谢第177-179页

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