摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-52页 |
1.1 物质拓扑相的研究 | 第13-21页 |
1.1.1 实空间中的拓扑相变:Kosterlitz-Thouless相变 | 第14-16页 |
1.1.2 动量空间中的拓扑相:从量子Hall效应到量子反常Hall效应 | 第16-21页 |
1.2 拓扑绝缘体 | 第21-37页 |
1.2.1 量子自旋Hall效应 | 第21-27页 |
1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第27-32页 |
1.2.3 破坏时间反演对称性与磁性拓扑绝缘体 | 第32-34页 |
1.2.4 镜面对称性与拓扑晶态绝缘体 | 第34-37页 |
1.3 拓扑半金属 | 第37-51页 |
1.3.1 Dirac半金属与Weyl半金属 | 第38-44页 |
1.3.2 Fermi弧 | 第44-47页 |
1.3.3 手性反常 | 第47-49页 |
1.3.4 第二类拓扑半金属 | 第49-51页 |
1.4 小结 | 第51-52页 |
第二章 材料与方法 | 第52-69页 |
2.1 材料生长 | 第52-55页 |
2.1.1 熔融法与助熔剂法 | 第53-54页 |
2.1.2 气相输运法 | 第54-55页 |
2.2 表征方法 | 第55-60页 |
2.2.1 低温物性质测量 | 第55-57页 |
2.2.2 极端条件物性测量 | 第57-59页 |
2.2.3 角分辨光电子能谱 | 第59页 |
2.2.4 结构与成分分析 | 第59-60页 |
2.3 数据处理方法 | 第60-69页 |
2.3.1 基本电磁信号 | 第60-62页 |
2.3.2 迁移率谱 | 第62-65页 |
2.3.3 量子振荡 | 第65-69页 |
第三章 Bi基三维拓扑绝缘体的电学性质调控 | 第69-90页 |
3.1 Bi基三维拓扑绝缘体中的缺陷类型与能带工程 | 第69-72页 |
3.1.1 缺陷与Fermi能级调控 | 第69-71页 |
3.1.2 能带工程 | 第71-72页 |
3.2 BiSbTeSe_2 | 第72-79页 |
3.2.1 单晶生长与基本电学性质 | 第72-76页 |
3.2.2 拓扑表面态电子结构 | 第76-77页 |
3.2.3 表面态的量子Hall效应 | 第77-79页 |
3.3 Sn-Bi_(1.1)Sb_(0.9)Te_2S | 第79-83页 |
3.3.1 单晶生长与基本电学性质 | 第79-81页 |
3.3.2 拓扑表面态电子结构 | 第81-82页 |
3.3.3 表面态的量子Hall效应 | 第82-83页 |
3.4 小结 | 第83-90页 |
第四章 WTe_2中的电子-空穴平衡与压力诱导超导 | 第90-114页 |
4.1 WTe_3的晶体结构与基本电学性质 | 第90-94页 |
4.1.1 晶体结构 | 第90-91页 |
4.1.2 基本电学性质 | 第91-94页 |
4.2 WTe_2中的电子-空穴平衡 | 第94-100页 |
4.2.1 电子-空穴平衡机制与能带结构 | 第94-95页 |
4.2.2 电子-空穴平衡的证据:迁移率谱 | 第95-99页 |
4.2.3 线性磁电阻现象 | 第99-100页 |
4.3 WTe_2中压力诱导超导与电子-空穴平衡的破坏 | 第100-105页 |
4.3.1 WTe_2压力下Fermi面的变化 | 第100-102页 |
4.3.2 压力下的超导相变 | 第102-105页 |
4.4 小结 | 第105-114页 |
第五章 Mo_xW_(1-x)Te_2中的拓扑态与Fermi面演化 | 第114-134页 |
5.1 背景与Mo_xW_(1-x)Te_2生长 | 第114-117页 |
5.1.1 Mo掺杂对Mo_xW_(1-x)Te_2体系的影响 | 第114-116页 |
5.1.2 Mo_xW_(1-x)Te_2生长 | 第116-117页 |
5.2 Mo_xW_(1-x)Te_2中的第二类Weyl态 | 第117-122页 |
5.2.1 第二类Weyl态与Fermi能级调控 | 第117-120页 |
5.2.2 拓扑Weyl相变 | 第120-122页 |
5.3 Mo_xW_(1-x)Te_2的电输运研究 | 第122-128页 |
5.3.1 Fermi面演化 | 第122-126页 |
5.3.2 各向异性磁电阻 | 第126-128页 |
5.4 小结 | 第128-134页 |
第六章 总结 | 第134-138页 |
6.1 回顾 | 第134-135页 |
6.2 展望 | 第135-138页 |
参考文献 | 第138-174页 |
科研成果 | 第174-177页 |
致谢 | 第177-179页 |