| 目录 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 导论 | 第6-13页 |
| 1.1 SiGe HBT技术简介 | 第6-8页 |
| 1.2 SiGe HBT主要应用 | 第8-10页 |
| 1.4 SiGe HBT国内研发现状及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.5 本文研究目的和论文章节的安排 | 第11-13页 |
| 第二章 SiGe HBT材料特性和器件基本原理 | 第13-18页 |
| 2.1 锗硅材料特性 | 第13-16页 |
| 2.1.1 锗硅的晶体结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 应变与弛豫 | 第14-15页 |
| 2.1.3 器件锗硅膜层的基本结构 | 第15-16页 |
| 2.2 SiGe HBT器件原理 | 第16-18页 |
| 第三章 新型结构SiGe HBT的设计和仿真 | 第18-38页 |
| 3.1 SiGe HBT重要设计参数 | 第18-25页 |
| 3.1.1 SiGe HBT工作电流及电流增益的改善 | 第18-19页 |
| 3.1.2 特征频率的计算及分析 | 第19-23页 |
| 3.1.3 最高振荡频率f_(max) | 第23-24页 |
| 3.1.4 Early电压L的计算及分析 | 第24-25页 |
| 3.2 新型SiGe HBT结构设计 | 第25-27页 |
| 3.2.1 常见SiGe HBT工艺结构 | 第25-26页 |
| 3.2.2 本论文新型SiGe HBT结构 | 第26-27页 |
| 3.3 器件各部分的工艺参数的确定 | 第27-30页 |
| 3.3.1 基区(Base)设计 | 第27-29页 |
| 3.3.2 集电区(Collector)设计 | 第29-30页 |
| 3.3.3 发射区(Emitter)设计 | 第30页 |
| 3.4 TCAD Taurus TSUPREM4仿真验证 | 第30-38页 |
| 3.4.1 Taurus TSUPREM4简介与工作界面 | 第30-32页 |
| 3.4.2 仿真结果 | 第32-38页 |
| 第四章 新型0.13um SiGe HBT工艺流程及性能验证 | 第38-53页 |
| 4.1 新型0.13um SiGe HBT工艺流程 | 第38-45页 |
| 4.2 性能验证 | 第45-53页 |
| 4.2.1 不同的基区条件的分离试验验证 | 第46-49页 |
| 4.2.2 不同的发射区掺杂条件的分离试验验证 | 第49-51页 |
| 4.2.3 不同的退火条件的分离试验验证 | 第51-53页 |
| 第五章 器件性能的优化、总结和后续研究计划 | 第53-57页 |
| 5.1 器件性能优化 | 第53-55页 |
| 5.2 总结与后续研究方向 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
