摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第13-31页 |
1.1 自旋电子学概述 | 第13-14页 |
1.2 高自旋极化率材料 | 第14-19页 |
1.2.1 γ'-Fe_4N相晶体结构 | 第15-17页 |
1.2.2 γ'-Fe_4N材料的研究现状 | 第17-19页 |
1.3 稀磁半导体 | 第19-25页 |
1.3.1 稀磁半导体概述 | 第19-22页 |
1.3.2 稀磁半导体中的磁有序机制 | 第22-25页 |
1.4 d~0铁磁性 | 第25-27页 |
1.4.1 d~0铁磁性的产生 | 第25-26页 |
1.4.2 d~0铁磁性的研究现状 | 第26-27页 |
1.5 本论文的选题依据、意义和研究内容 | 第27-31页 |
1.5.1 选题依据和意义 | 第27-29页 |
1.5.2 研究内容 | 第29-31页 |
第二章 实验方法 | 第31-47页 |
2.1 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第31页 |
2.2 PLD设备技术原理 | 第31-35页 |
2.3 PLD特点 | 第35-36页 |
2.4 PLD设备系统 | 第36-37页 |
2.5 实验方法 | 第37-39页 |
2.6 样品表征及测试原理 | 第39-47页 |
2.6.1 磁性能测试(MPMS) | 第39页 |
2.6.2 X射线衍射(XRD) | 第39-42页 |
2.6.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第42页 |
2.6.4 透射电镜(TEM) | 第42页 |
2.6.5 磁光克尔效应(MOKE) | 第42-44页 |
2.6.6 X射线光电子谱(XPS) | 第44-45页 |
2.6.7 光致发光光谱(Photoluminescence Spectrum,PL) | 第45-47页 |
第三章 铁氮薄膜的结构及磁性能的研究 | 第47-65页 |
3.1 引言 | 第47-48页 |
3.2 实验结果与讨论 | 第48-64页 |
3.2.1 缓冲层材料对Fe-N薄膜的结构和性能的影响 | 第48-53页 |
3.2.2 在MgO缓冲层上氮气压对Fe-N薄膜的影响研究 | 第53-56页 |
3.2.3 MgO缓冲层沉积温度对γ'-Fe_4N结构和性能影响研究 | 第56-57页 |
3.2.4 γ'-Fe_4N薄膜的表面形貌分析 | 第57-58页 |
3.2.5 MgO缓冲层生长温度对γ'-Fe_4N薄膜相结构的影响 | 第58-60页 |
3.2.6 MgO缓冲层生长温度对γ'-Fe_4N薄膜磁性能的影响 | 第60-64页 |
3.3 结论 | 第64-65页 |
第四章 氧化镁薄膜的制备及其磁性的研究 | 第65-85页 |
4.1 引言 | 第65-66页 |
4.2 温度对MgO薄膜磁性能的影响 | 第66-76页 |
4.2.1 引言 | 第66页 |
4.2.2 实验方法 | 第66-67页 |
4.2.3 实验结果与讨论 | 第67-76页 |
4.3 非晶MgO薄膜铁磁性能的研究 | 第76-84页 |
4.3.1 引言 | 第76页 |
4.3.2 实验方法 | 第76-77页 |
4.3.3 实验结果与讨论 | 第77-84页 |
4.4 结论 | 第84-85页 |
第五章 二氧化锡薄膜的制备及其磁性的研究 | 第85-99页 |
5.1 引言 | 第85页 |
5.2 SnO_2材料的基本性质 | 第85-87页 |
5.3 实验方法 | 第87-89页 |
5.3.1 靶材的制备 | 第87-88页 |
5.3.2 SnO_2薄膜的制备 | 第88-89页 |
5.4 实验结果与讨论 | 第89-97页 |
5.4.1 沉积温度对SnO_2薄膜的结构和磁性的影响 | 第89-94页 |
5.4.2 氧压对SnO_2薄膜的结构和磁性的影响 | 第94-97页 |
5.5 结论 | 第97-99页 |
第六章 结论与展望 | 第99-103页 |
6.1 本论文的主要结论 | 第99-100页 |
6.2 对未来工作的展望 | 第100-103页 |
参考文献 | 第103-121页 |
攻读博士学位期间所取得的科研成果 | 第121-123页 |
致谢 | 第123-125页 |
个人简历 | 第125页 |