| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 铁电材料的应用及研究意义 | 第11-14页 |
| 1.2.1 红外热释电探测器 | 第11-12页 |
| 1.2.2 雷达移相器 | 第12-14页 |
| 1.2.3 微波通信系统中的应用 | 第14页 |
| 1.3 介电调谐材料的性能研究 | 第14-18页 |
| 1.3.1 纯钛酸锶钡材料的性能研究 | 第14-16页 |
| 1.3.2 钛酸锶钡掺杂材料的性能研究 | 第16-17页 |
| 1.3.3 多层复合材料的性能研究 | 第17-18页 |
| 1.4 钛酸锶钡铁电材料的结构及性能 | 第18-22页 |
| 1.4.1 钙钛矿结构简介 | 第18-20页 |
| 1.4.2 钛酸锶钡的结构 | 第20页 |
| 1.4.3 钛酸锶钡材料的介电性能 | 第20-22页 |
| 1.5 铋镁铌系统概述 | 第22-24页 |
| 1.5.1 焦绿石型的结构 | 第22-23页 |
| 1.5.2 铋基焦绿石体系的研究 | 第23-24页 |
| 1.6 介质材料的介电损耗机理 | 第24-25页 |
| 1.6.1 固有损耗 | 第25页 |
| 1.6.2 非固有损耗 | 第25页 |
| 1.7 微波可调谐器件的性能参数 | 第25-27页 |
| 1.7.1 高调谐性 | 第25-26页 |
| 1.7.2 介电损耗 | 第26页 |
| 1.7.3 温度与频率稳定性 | 第26页 |
| 1.7.4 漏电流密度 | 第26-27页 |
| 1.8 本文的研究内容及意义 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第2章 钛酸锶钡复合物薄膜的制备及表征方法 | 第33-45页 |
| 2.1 纳米薄膜的制备方法 | 第33-36页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术 | 第33-35页 |
| 2.1.2 磁控溅射技术 | 第35-36页 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法 | 第36页 |
| 2.2 薄膜器件电极制备方法 | 第36-37页 |
| 2.2.1 离子溅射仪 | 第36-37页 |
| 2.2.2 热蒸镀仪 | 第37页 |
| 2.3 薄膜表征测试方法 | 第37-39页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪（XRD） | 第37-38页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第38页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第38-39页 |
| 2.4 薄膜器件介电性能的测试方法 | 第39-40页 |
| 2.4.1 阻抗分析仪 | 第39-40页 |
| 2.4.2 铁电测试仪 | 第40页 |
| 2.5 制备靶材所用到的原料及仪器 | 第40-41页 |
| 2.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第3章 BST膜及BST/BMN/BST复合膜的介电特性 | 第45-65页 |
| 3.1 前言 | 第45页 |
| 3.2 陶瓷靶材与薄膜器件的制备 | 第45-50页 |
| 3.2.1 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)陶瓷靶材的制备 | 第45-46页 |
| 3.2.2 Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7(BMN)陶瓷靶材的制备 | 第46-48页 |
| 3.2.3 BST及BST/BMN/BST薄膜及MIM器件的制备 | 第48-50页 |
| 3.3 衬底温度对BST薄膜电学性能的影响 | 第50-54页 |
| 3.3.1 BST薄膜的XRD分析 | 第50-51页 |
| 3.3.2 BST薄膜的AFM分析 | 第51页 |
| 3.3.3 BST薄膜的介电随温度变化特性 | 第51-53页 |
| 3.3.4 BST薄膜的漏电流随温度变化特性 | 第53-54页 |
| 3.4 BST薄膜及BST/BMN/BST复合膜的对比分析 | 第54-62页 |
| 3.4.1 BST膜及BST/BMN/BST复合膜的XRD分析 | 第54-55页 |
| 3.4.2 BST薄膜及BST/BMN/BST薄膜的AFM分析 | 第55-56页 |
| 3.4.3 Pt/BST/Au及Pt/BST/BMN/BST/Au器件的介电测试 | 第56-59页 |
| 3.4.4 Pt/BST/Au及Pt/BST/BMN/BST/Au器件的漏电流测试 | 第59-61页 |
| 3.4.5 Pt/BST/Au及Pt/BST/BMN/BST/Au器件的铁电测试 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第4章 BMN/BST双层复合膜的介电特性研究 | 第65-79页 |
| 4.1 前言 | 第65页 |
| 4.2 BMN/BST薄膜及MIM器件的制备 | 第65-66页 |
| 4.2.1 制备BMN/BST薄膜的条件 | 第65-66页 |
| 4.2.2 M/BMN/BST/M器件的上电极的制备 | 第66页 |
| 4.3 沉积氧压对BMN/BST薄膜的影响 | 第66-69页 |
| 4.3.1 不同氧压制备BMN/BST薄膜的XRD分析 | 第67页 |
| 4.3.2 不同氧压制备BMN/BST薄膜的AFM分析 | 第67-68页 |
| 4.3.3 不同氧压制备BMN/BST薄膜的介电测试 | 第68-69页 |
| 4.4 不同厚度比的Pt/BMN/BST/Au器件的测试及分析 | 第69-75页 |
| 4.4.1 BMN/BST薄膜的XRD分析 | 第70页 |
| 4.4.2 不同厚度比例下BMN/BST薄膜AFM分析 | 第70-71页 |
| 4.4.3 Pt/BMN/BST/Au器件的介电测试 | 第71-74页 |
| 4.4.4 Pt/BMN/BST/Pt器件的漏电流测试 | 第74-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第5章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
