| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 场致电子发射技术的发展历史及现状 | 第11-12页 |
| 1.2 场致发射的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.1 场发射平板显示器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 场发射微波管 | 第13-14页 |
| 1.2.3 场发射传感器 | 第14页 |
| 1.3 场致发射理论 | 第14-20页 |
| 1.3.1 金属场致电子发射 | 第15-17页 |
| 1.3.2 半导体场致电子发射 | 第17-18页 |
| 1.3.3 Spindt型场发射阴极材料的选取 | 第18-20页 |
| 1.4 课题意义和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜制备分析方法和有限元分析法 | 第22-30页 |
| 2.1 电子束蒸发沉积镀膜工艺简介 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜分析方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 XRD分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 SEM分析 | 第25页 |
| 2.2.3 薄膜的电学性能测试 | 第25-26页 |
| 2.3 有限元分析 | 第26-27页 |
| 2.3.1 有限元法定义 | 第26页 |
| 2.3.2 有限元法分析步骤 | 第26-27页 |
| 2.4 有限元分析软件ANSYS简介 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 有限元法模拟优化电阻层和过渡层薄膜技术参数 | 第30-46页 |
| 3.1 有限元法模拟计算的前期准备 | 第30-34页 |
| 3.1.1 Spindt型场发射复合阴极阵列工作条件分析 | 第30-32页 |
| 3.1.2 Spindt型场发射复合阴极阵列优化设计流程图 | 第32-34页 |
| 3.2 Spindt型场发射复合阴极模型的建立 | 第34-36页 |
| 3.2.1 尖锥模型与边界条件 | 第34-35页 |
| 3.2.2 网格划分和材料属性 | 第35-36页 |
| 3.2.3 施加载荷和求解设置 | 第36页 |
| 3.3 加载温度变化对模型热应力场分布的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 电阻层和过渡层厚度变化对模型热应力场分布的影响 | 第38-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 Spindt型复合尖锥场发射阴极阵列中电阻层的研究 | 第46-58页 |
| 4.1 Spindt型复合尖锥场发射阵列的结构 | 第46-47页 |
| 4.2 非晶硅电阻层薄膜的制备 | 第47-52页 |
| 4.2.1 非晶硅电阻层的工作原理和结构 | 第47-49页 |
| 4.2.2 多晶硅材料特性 | 第49页 |
| 4.2.3 非晶硅电阻层的沉积工艺 | 第49-52页 |
| 4.3 电阻层薄膜的性能表征 | 第52-56页 |
| 4.3.1 FESEM分析 | 第52-55页 |
| 4.3.2 拉曼光谱和XRD分析 | 第55-56页 |
| 4.4 硅薄膜电学性能研究 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 Spindt型复合尖锥场发射阴极阵列中过渡层的研究 | 第58-76页 |
| 5.1 金属钼的性质 | 第58-60页 |
| 5.1.1 物理性质 | 第58-60页 |
| 5.1.2 化学性质 | 第60页 |
| 5.2 金属钼过渡层的结构与制备 | 第60-63页 |
| 5.2.1 金属钼过渡层的结构 | 第60页 |
| 5.2.2 金属钼过渡层的制备 | 第60-63页 |
| 5.3 钼薄膜的性能表征 | 第63-70页 |
| 5.3.1 FESEM分析 | 第63-66页 |
| 5.3.2 XRD分析 | 第66-70页 |
| 5.4 钼薄膜电学性能研究 | 第70-72页 |
| 5.5 过渡层结合力的测试 | 第72-74页 |
| 5.6 复合结构薄膜的热应力测试 | 第74-75页 |
| 5.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 复合型场发射阴极阵列制备和发射性能的测试 | 第76-86页 |
| 6.1 复合型场发射阴极阵列的制备 | 第76-80页 |
| 6.1.1 牺牲层的沉积 | 第77-78页 |
| 6.1.2 电阻层和过渡层的沉积 | 第78页 |
| 6.1.3 六硼化镧发射层的沉积 | 第78-79页 |
| 6.1.4 牺牲层的剥离 | 第79-80页 |
| 6.2 复合型场发射阴极阵列的测试 | 第80-85页 |
| 6.2.1 场发射测试系统和三极管结构的制作 | 第80-82页 |
| 6.2.2 老练工艺处理 | 第82-83页 |
| 6.2.3 场发射阴极阵列发射性能测试 | 第83-85页 |
| 6.3 本章小结 | 第85-86页 |
| 第七章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 7.1 本文工作总结 | 第86-87页 |
| 7.2 工作展望 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
