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熔盐包层的设计与中子学计算分析

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 选题的依据与意义第10-11页
    1.2 国内外包层的研究现状第11-18页
        1.2.1 包层种类第13-16页
        1.2.2 包层材料的性能分类第16-18页
    1.3 包层主要研究方向第18-20页
        1.3.1 包层功能研究第18-19页
        1.3.2 包层整体研究第19-20页
第2章 CFETR熔盐包层设计第20-28页
    2.1 CFETR基本物理参数第20-21页
    2.2 CFETR包层系统设计第21-24页
    2.3 熔盐包层的初始设计第24-26页
        2.3.1 氟锂铍包层的特点第24页
        2.3.2 熔盐包层初始设计的细化第24-26页
    2.4 小结第26-28页
第3章 CFETR中子源分布的模拟计算第28-38页
    3.1 聚变中子学研究的基本内容第28页
    3.2 中子源分布模拟计算依据第28-32页
    3.3 中子源分布计算与验证第32-36页
        3.3.1 中子源计算第32页
        3.3.2 中子源计算结果的验证分析第32-36页
    3.4 小结第36-38页
第4章 熔盐包层的设计与中子学分析第38-50页
    4.1 包层设计的要求和内容第38-39页
    4.2 包层改进设计与一维的氚增殖比计算分析第39-45页
        4.2.1 中子倍增材料选择第39-42页
        4.2.2 Li-6富集度的选择第42-43页
        4.2.3 各模块厚度的选择第43-45页
    4.3 结构材料隔板对计算结果的影响第45-46页
    4.4 完善设计包层的氚增殖比验证分析第46-49页
    4.5 小结第49-50页
第5章 设计包层中子学性能的评估第50-58页
    5.1 性能评估分析第50-51页
    5.2 设计包层三维中子壁负载计算分析第51页
    5.3 设计包层核功率密度计算分析第51-52页
    5.4 结构材料离位原子损伤的计算分析第52-55页
    5.5 结构材料氦产生率的计算分析第55-57页
    5.6 小结第57-58页
总结与展望第58-61页
参考文献第61-64页
致谢第64-65页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第65页

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