Si基L波段下变频器研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 研究现状 | 第9-20页 |
| 1.2.1 CMOS混频器的发展动态 | 第9-14页 |
| 1.2.2 镜频抑制混频器的发展动态 | 第14-20页 |
| 1.3 论文研究内容与组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 混频器介绍 | 第21-30页 |
| 2.1 混频器理论基础 | 第21页 |
| 2.2 混频器的主要技术指标 | 第21-24页 |
| 2.2.1 转换增益 | 第21页 |
| 2.2.2 线性度 | 第21-23页 |
| 2.2.3 噪声 | 第23页 |
| 2.2.4 隔离度 | 第23-24页 |
| 2.3 镜频抑制混频器 | 第24-26页 |
| 2.3.1 镜像频率的干扰 | 第24页 |
| 2.3.2 镜像抑制结构 | 第24-26页 |
| 2.4 CMOS/BiCMOS工艺的简单介绍 | 第26-28页 |
| 2.5 方案设置 | 第28-30页 |
| 第三章 直流电路设计 | 第30-38页 |
| 3.1 直流电源 | 第30页 |
| 3.2 常用的电压源 | 第30-32页 |
| 3.2.1 电阻分压 | 第30-31页 |
| 3.2.2 以Vth为基准的电压源 | 第31页 |
| 3.2.3 带隙基准电压 | 第31-32页 |
| 3.3 电源设计 | 第32页 |
| 3.4 LDO设计 | 第32-35页 |
| 3.5 ESD设计 | 第35-38页 |
| 第四章 混频器设计 | 第38-68页 |
| 4.1 Gilbert混频器的工作原理 | 第38页 |
| 4.2 Gilbert混频单元的主要性能分析 | 第38-42页 |
| 4.2.1 转换增益/插入损耗 | 第39页 |
| 4.2.2 线性度 | 第39-41页 |
| 4.2.3 本振、射频到中频的隔离 | 第41页 |
| 4.2.4 噪声 | 第41-42页 |
| 4.3 混频单元的电路设计 | 第42-45页 |
| 4.3.1 电源电压的选取 | 第43-44页 |
| 4.3.2 互导级设计 | 第44页 |
| 4.3.3 开关管设计 | 第44-45页 |
| 4.3.4 负载级设计 | 第45页 |
| 4.4 本振链路设计 | 第45-51页 |
| 4.4.1 本振巴伦设计 | 第48-49页 |
| 4.4.2 本振差分放大器 | 第49页 |
| 4.4.3 本振驱动放大器 | 第49-50页 |
| 4.4.4 本振链路仿真 | 第50-51页 |
| 4.5 中频输出级设计 | 第51-53页 |
| 4.5.1 100M~500M输出设计 | 第51-52页 |
| 4.5.2 680M输出设计 | 第52-53页 |
| 4.6 原理图仿真 | 第53-55页 |
| 4.7 混频器版图设计 | 第55-58页 |
| 4.8 第一版芯片测试 | 第58-61页 |
| 4.8.1 芯片封装 | 第59页 |
| 4.8.2 测试结果 | 第59-61页 |
| 4.8.3 测试结果分析 | 第61页 |
| 4.9 第二版芯片测试 | 第61-68页 |
| 4.9.1 芯片封装 | 第61-62页 |
| 4.9.2 测试结果 | 第62-67页 |
| 4.9.3 测试结果分析 | 第67-68页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第68-69页 |
| 5.1 全文总结 | 第68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
