摘要 | 第8-10页 |
Abstract | 第10-11页 |
第一章 序言 | 第12-26页 |
1.1 场致电子发射及其应用概述 | 第12-13页 |
1.2 场致电子发射材料及其改性研究 | 第13-18页 |
1.2.1 场致电子发射冷阴极材料简介 | 第13-16页 |
1.2.2 场致电子发射冷阴极性能改善途径 | 第16-18页 |
1.3 金属氧化物纳米结构及其场致电子发射研究现状 | 第18-20页 |
1.3.1 超薄CuO纳米片及其场致电子发射性能研究 | 第18-19页 |
1.3.2 TiO_2纳米管阵列及其场致电子发射性能研究 | 第19页 |
1.3.3 Fe_2O_3纳米棒阵列及其场致电子发射性能研究 | 第19-20页 |
1.4 本文的选题背景及研究内容 | 第20-22页 |
参考文献 | 第22-26页 |
第二章 场致电子发射理论概述 | 第26-39页 |
2.1 场致电子发射的基本理论 | 第26-33页 |
2.1.1 金属的场致电子发射理论 | 第26-29页 |
2.1.2 半导体的场致电子发射理论 | 第29-32页 |
2.1.3 内场致电子发射 | 第32-33页 |
2.2 影响场致电子发射的因素 | 第33页 |
2.3 场致电子发射材料性能的评价参数 | 第33-35页 |
2.4 场致电子发射测试系统 | 第35-36页 |
参考文献 | 第36-39页 |
第三章 超薄CuO纳米片的制备及其场致电子发射性能研究 | 第39-53页 |
3.1 超薄CuO纳米片的制备及表征 | 第40-42页 |
3.1.1 超薄CuO纳米片的制备 | 第40页 |
3.1.2 超薄CuO纳米片的表征 | 第40-42页 |
3.2 超薄CuO纳米片的生长原理 | 第42-45页 |
3.3 超薄CuO纳米片的场致电子发射性能研究 | 第45-50页 |
3.4 本章小结 | 第50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
第四章 退火环境对TiO_2纳米管阵列场致电子发射性能改善研究 | 第53-63页 |
4.1 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的制备及表征 | 第54-58页 |
4.1.1 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的制备 | 第54页 |
4.1.2 不同气氛中退火的TiO_2纳米管阵列的表征 | 第54-58页 |
4.2 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的场致电子发射性能研究 | 第58-60页 |
4.3 本章小结 | 第60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
第五章 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的场致电子发射特性研究 | 第63-76页 |
5.1 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的制备及表征 | 第64-70页 |
5.1.1 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的制备 | 第64页 |
5.1.2 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的表征 | 第64-70页 |
5.2 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的场致电子发射性能研究 | 第70-72页 |
5.3 本章小结 | 第72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
附录:攻读硕士学位期间发表及提交的论文 | 第78-79页 |
致谢 | 第79页 |