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几种过渡金属氧化物纳米阵列结构的制备及其场致电子发射性能研究

摘要第8-10页
Abstract第10-11页
第一章 序言第12-26页
    1.1 场致电子发射及其应用概述第12-13页
    1.2 场致电子发射材料及其改性研究第13-18页
        1.2.1 场致电子发射冷阴极材料简介第13-16页
        1.2.2 场致电子发射冷阴极性能改善途径第16-18页
    1.3 金属氧化物纳米结构及其场致电子发射研究现状第18-20页
        1.3.1 超薄CuO纳米片及其场致电子发射性能研究第18-19页
        1.3.2 TiO_2纳米管阵列及其场致电子发射性能研究第19页
        1.3.3 Fe_2O_3纳米棒阵列及其场致电子发射性能研究第19-20页
    1.4 本文的选题背景及研究内容第20-22页
    参考文献第22-26页
第二章 场致电子发射理论概述第26-39页
    2.1 场致电子发射的基本理论第26-33页
        2.1.1 金属的场致电子发射理论第26-29页
        2.1.2 半导体的场致电子发射理论第29-32页
        2.1.3 内场致电子发射第32-33页
    2.2 影响场致电子发射的因素第33页
    2.3 场致电子发射材料性能的评价参数第33-35页
    2.4 场致电子发射测试系统第35-36页
    参考文献第36-39页
第三章 超薄CuO纳米片的制备及其场致电子发射性能研究第39-53页
    3.1 超薄CuO纳米片的制备及表征第40-42页
        3.1.1 超薄CuO纳米片的制备第40页
        3.1.2 超薄CuO纳米片的表征第40-42页
    3.2 超薄CuO纳米片的生长原理第42-45页
    3.3 超薄CuO纳米片的场致电子发射性能研究第45-50页
    3.4 本章小结第50页
    参考文献第50-53页
第四章 退火环境对TiO_2纳米管阵列场致电子发射性能改善研究第53-63页
    4.1 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的制备及表征第54-58页
        4.1.1 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的制备第54页
        4.1.2 不同气氛中退火的TiO_2纳米管阵列的表征第54-58页
    4.2 不同气氛退火的TiO_2纳米管阵列的场致电子发射性能研究第58-60页
    4.3 本章小结第60页
    参考文献第60-63页
第五章 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的场致电子发射特性研究第63-76页
    5.1 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的制备及表征第64-70页
        5.1.1 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的制备第64页
        5.1.2 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的表征第64-70页
    5.2 欠氧态 α-Fe_2O_3纳米棒阵列的场致电子发射性能研究第70-72页
    5.3 本章小结第72页
    参考文献第72-76页
第六章 总结与展望第76-78页
附录:攻读硕士学位期间发表及提交的论文第78-79页
致谢第79页

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