| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 微悬臂梁传感器简述 | 第11-12页 |
| 1.2 高灵敏度悬臂梁的结构特性与制作工艺 | 第12-18页 |
| 1.2.1 MRFM技术及高灵敏度悬臂梁 | 第12-13页 |
| 1.2.2 高灵敏度悬臂梁的结构特性 | 第13-16页 |
| 1.2.3 高灵敏度悬臂梁的制作工艺 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的研究目标和意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的主要工作及结构 | 第19-21页 |
| 第二章 微悬臂梁加工中破裂机理分析及实验工艺优化 | 第21-29页 |
| 2.1 悬臂梁加工断裂的现象—埋氧层应力破坏效应 | 第21-22页 |
| 2.2 原有工艺流程中破裂过程的分析 | 第22-25页 |
| 2.2.1 埋氧层材料——氧化硅的拉伸断裂机理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 埋氧层内应力破坏作用过程 | 第24-25页 |
| 2.3 埋氧层图形化工艺流程的分析 | 第25-27页 |
| 2.4 针对解决应力效应的加工技术及讨论 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 埋氧层应力产生的机理分析及数值理论模型 | 第29-47页 |
| 3.1 SOI硅片制作方法及内应力成因 | 第29-33页 |
| 3.1.1 SOI的制作方法 | 第29-31页 |
| 3.1.2 注氢及热氧化步骤的具体内容 | 第31-33页 |
| 3.1.3 键合(Bonding)与注H+片的整体剥离 | 第33页 |
| 3.2 埋氧层内应力氧化理论及机理分析 | 第33-35页 |
| 3.3 内应力计算及其数值理论模型 | 第35-45页 |
| 3.3.1 内应力影响因素分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同条件下内应力所受影响作用及分析 | 第36-41页 |
| 3.3.3 内应力数值计算和理论模型表达 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 悬臂梁埋氧层应力模型仿真分析 | 第47-69页 |
| 4.1 悬臂梁仿真模型设计 | 第47-48页 |
| 4.2 硅-氧化硅双层及多层悬臂梁的仿真 | 第48-52页 |
| 4.2.1 确定模型参数 | 第48-49页 |
| 4.2.2 网格化与载荷施加 | 第49-51页 |
| 4.2.3 双层梁结构模型及分析 | 第51-52页 |
| 4.3 体硅层刻蚀剩余厚度优化设计 | 第52-59页 |
| 4.4 埋氧层模型图形化优化设计 | 第59-65页 |
| 4.5 基于仿真结果的优化工艺设计 | 第65-68页 |
| 4.5.1 优化工艺设计的目标与方法 | 第65-66页 |
| 4.5.2 设计实验工艺流程 | 第66-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 工作总结 | 第69-70页 |
| 5.2 工作展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第79页 |