| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 表/界面效应 | 第12-14页 |
| 1.2.1 表/界面效应的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 表/界面效应的本构方程 | 第13-14页 |
| 1.3 裂纹问题的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3.1 复合材料中裂纹问题的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.2 压电材料中裂纹问题的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.3 准晶材料中裂纹问题的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的主要创新点 | 第19-20页 |
| 第2章 位错与直线纳米裂纹干涉的反平面问题 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 问题的描述与基本公式 | 第20-22页 |
| 2.3 问题的解答 | 第22-23页 |
| 2.4 应力场和位错力 | 第23-24页 |
| 2.5 数值分析与讨论 | 第24-28页 |
| 2.5.1 表面效应对应力场的影响 | 第25-26页 |
| 2.5.2 表面效应对位错力的影响 | 第26-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 压电位错与直线纳米裂纹干涉的反平面问题 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 压电材料中反平面问题的基本方程 | 第29-31页 |
| 3.3 问题的描述与基本公式 | 第31-32页 |
| 3.4 问题的解答 | 第32-34页 |
| 3.5 应力场、电位移场和位错力 | 第34-35页 |
| 3.6 数值分析与讨论 | 第35-41页 |
| 3.6.1 表面效应对应力场和电位移场的影响 | 第36-40页 |
| 3.6.2 表面效应对位错力的影响 | 第40-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 准晶中位错与直线纳米裂纹干涉的反平面问题 | 第42-55页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 问题的描述与基本公式 | 第42-44页 |
| 4.3 问题的解答 | 第44-45页 |
| 4.4 应力场和位错力 | 第45-47页 |
| 4.5 数值分析与讨论 | 第47-53页 |
| 4.5.1 表面效应对声子场和相位子场中应力场的影响 | 第48-52页 |
| 4.5.2 表面效应对声子场和相位子场中位错力的影响 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 位错与纳米椭圆孔干涉的反平面问题 | 第55-68页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 问题的描述与基本公式 | 第55-57页 |
| 5.3 问题的解答 | 第57-58页 |
| 5.4 应力场和位错力 | 第58-60页 |
| 5.5 数值分析与讨论 | 第60-67页 |
| 5.5.1 表面效应对应力场的影响 | 第60-64页 |
| 5.5.2 表面效应对位错力的影响 | 第64-67页 |
| 5.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 附录 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |