中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 课题背景和意义 | 第11-12页 |
1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 传统平板太阳电池的极限效率 | 第12-13页 |
1.2.2 纳米线、光栅结构太阳电池的极限效率 | 第13-14页 |
1.3 太阳电池的极限效率研究面临的主要问题 | 第14-15页 |
1.4 论文的主要内容和结构安排 | 第15-17页 |
第二章 极限效率理论及研究方法 | 第17-32页 |
2.1 黑体辐射 | 第17-18页 |
2.1.1 黑体辐射简介 | 第17页 |
2.1.2 普朗克公式 | 第17-18页 |
2.2 极限效率理论 | 第18-24页 |
2.2.1 太阳电池的理想效率 | 第18-20页 |
2.2.2 电流-电压关系 | 第20-22页 |
2.2.3 细致平衡理论下的极限效率 | 第22-24页 |
2.3 全角度扫描法分析太阳电池的复合特性 | 第24-27页 |
2.3.1 辐射复合对开路电压的影响 | 第24-26页 |
2.3.2 俄歇复合对开路电压的影响 | 第26-27页 |
2.4 太阳电池光电耦合建模方法 | 第27-32页 |
2.4.1 波动光学基础 | 第27-28页 |
2.4.2 半导体载流子输运方程 | 第28-30页 |
2.4.3 光电耦合模型在COMSOL中的实现 | 第30-32页 |
第三章 硅纳米线/纳米孔阵列太阳电池的极限效率分析 | 第32-37页 |
3.1 硅纳米线/纳米孔阵列太阳电池设计思路 | 第32-33页 |
3.2 两种分析方法下的I-V曲线比较 | 第33-34页 |
3.3 电学损耗在两种方法上的体现 | 第34-35页 |
3.4 电学参数分析 | 第35页 |
3.5 本章小结 | 第35-37页 |
第四章 单结硅单纳米线太阳电池的极限效率分析 | 第37-46页 |
4.1 卧式单纳米线的陷光原理 | 第37页 |
4.2 在COMSOL中LS-SNSCs三维模型的建立 | 第37-39页 |
4.3 LS-SNSCs的光电性能研究 | 第39-41页 |
4.3.1 不同半径下的短路电流密度和开路电压特性 | 第39-40页 |
4.3.2 辐射复合和俄歇复合对开路电压的影响 | 第40-41页 |
4.3.3 电池的极限效率 | 第41页 |
4.4 立式单纳米线的聚光特性 | 第41-42页 |
4.5 在COMSOL中VS-SNSCs模型的建立 | 第42-43页 |
4.6 VS-SNSCs的光电转换性能分析 | 第43-44页 |
4.6.1 长度和半径的影响 | 第43页 |
4.6.2 固定长度下半径对短路电流和开路电压特性影响 | 第43-44页 |
4.6.3 立式单纳米线太阳电池的极限效率 | 第44页 |
4.7 本章小结 | 第44-46页 |
第五章 卧式双结a-Si:H/μc-Si:H单纳米线太阳电池的极限效率分析 | 第46-53页 |
5.1 双结太阳电池的吸收特性 | 第46页 |
5.2 LT-SNSCs三维模型的建立 | 第46-47页 |
5.3 光电转换性能 | 第47-52页 |
5.3.1 电流匹配 | 第47-48页 |
5.3.2 电压特性比较 | 第48-49页 |
5.3.3 不同半径下电池的极限效率比较研究 | 第49-50页 |
5.3.4 电池的I-V曲线 | 第50-51页 |
5.3.5 基底对电池性能的影响 | 第51-52页 |
5.4 本章小结 | 第52-53页 |
第六章 MaCE法硅微米线的制备 | 第53-64页 |
6.1 MaCE技术介绍 | 第53页 |
6.2 光刻工艺 | 第53-56页 |
6.3 热蒸发金属镀膜 | 第56-57页 |
6.4 化学腐蚀 | 第57-62页 |
6.4.1 MaCE机理 | 第57-58页 |
6.4.2 催化剂种类 | 第58-59页 |
6.4.3 金属薄膜厚度的影响 | 第59-60页 |
6.4.4 调控腐蚀液浓度和金属沉积速率 | 第60-62页 |
6.5 本章小结 | 第62-64页 |
第七章 总结与展望 | 第64-66页 |
7.1 工作总结 | 第64页 |
7.2 工作展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-74页 |
缩略语 | 第74-75页 |
攻读硕士学位期间研究成果 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-78页 |