| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 研究背景 | 第12-29页 |
| 1.2.1 氢气传感器简介 | 第12-20页 |
| 1.2.2 半导体纳米线氢气传感器的国内外研究现状 | 第20-24页 |
| 1.2.3 MoO_3一维纳米材料的国内外研究现状 | 第24-29页 |
| 1.3 选题依据及主要研究内容 | 第29-31页 |
| 1.3.1 选题依据与研究内容 | 第29-30页 |
| 1.3.2 本论文的主要创新点 | 第30-31页 |
| 第二章 材料制备与表征方法 | 第31-37页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 第一性原理计算方法 | 第31-32页 |
| 2.3 材料制备与表征方法 | 第32-36页 |
| 2.3.1 仪器设备与药品试剂 | 第32-33页 |
| 2.3.2 水热法生长MoO_3单晶纳米带 | 第33-34页 |
| 2.3.3 水热法生长MoO_3纳米带/石墨烯复合材料 | 第34-35页 |
| 2.3.4 材料分析与表征方法 | 第35-36页 |
| 2.4 器件性能测试方法 | 第36页 |
| 2.5 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 MoO_3氢敏机理的第一性原理理论研究 | 第37-56页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 模型建立 | 第37-38页 |
| 3.3 气体分子吸附对MoO_3电子结构的影响 | 第38-53页 |
| 3.3.1 理想化学计量比MoO_3 (010)表面的氧分子吸附 | 第38-39页 |
| 3.3.2 非化学计量比MoO_3 (010)表面的氧分子吸附 | 第39-44页 |
| 3.3.3 理想化学计量比MoO_3 (010)表面的氢分子吸附 | 第44-45页 |
| 3.3.4 非化学计量比MoO_3 (010)表面的氢分子吸附 | 第45-53页 |
| 3.4 氢敏机理分析 | 第53-54页 |
| 3.5 小结 | 第54-56页 |
| 第四章 MoO_3纳米带的可控制备与室温氢敏机理研究 | 第56-70页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 MoO_3纳米带的可控制备 | 第56-59页 |
| 4.3 超长MoO_3纳米带制备及退火处理对物相与结构的调控 | 第59-63页 |
| 4.4 单根MoO_3纳米带的室温氢敏性能 | 第63-67页 |
| 4.4.1 单根MoO_3纳米带器件组装 | 第63-64页 |
| 4.4.2 单根MoO_3纳米带器件的室温氢敏性能 | 第64-67页 |
| 4.5 MoO_3纳米带室温氢敏机理分析 | 第67-69页 |
| 4.6 小结 | 第69-70页 |
| 第五章 MoO_3纳米带膜的组装与室温氢敏性能研究 | 第70-80页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 MoO_3纳米带膜氢敏元件的组装 | 第70-71页 |
| 5.3 MoO_3纳米带膜氢敏元件的室温氢敏性能 | 第71-74页 |
| 5.4 MoO_3纳米带膜的氢敏响应机理 | 第74-78页 |
| 5.5 小结 | 第78-80页 |
| 第六章 MoO_3纳米带/石墨烯复合材料的可控制备与室温氢敏性能研究 | 第80-96页 |
| 6.1 引言 | 第80页 |
| 6.2 MoO_3纳米带/石墨烯复合材料的可控制备 | 第80-85页 |
| 6.3 MoO_3纳米带/石墨烯复合材料氢敏元件的组装与性能研究 | 第85-95页 |
| 6.3.1 器件的组装方法 | 第85-86页 |
| 6.3.2 室温氢敏性能 | 第86-89页 |
| 6.3.3 MoO_3纳米带/石墨烯复合材料室温氢敏机理 | 第89-95页 |
| 6.4 小结 | 第95-96页 |
| 第七章 结论与展望 | 第96-98页 |
| 7.1 结论 | 第96-97页 |
| 7.2 展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-112页 |
| 附录 | 第112-115页 |
| 附录1 博士在读期间参与的科研项目 | 第112页 |
| 附录2 博士在读期间获得的科研成果 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
